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Crescimento epitaxial de novos materiais para dispositivos spintrônicos

Processo: 05/03998-6
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de fevereiro de 2006 - 31 de janeiro de 2008
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gennady Gusev
Beneficiário:Gennady Gusev
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Dispositivos eletrônicos  Transistores  Spintrônica  Spin  Elétrons  Polarização de spin 

Resumo

O objetivo deste projeto é estudar os fenômenos físicos básicos e as propriedades de estruturas de AlyGay-1As/AlxGax-1 para aplicações em spintrônica. As propriedades de spin nestes materiais dependem fortemente das composições x e y de Al. Isto abre novas possibilidades para sintetizar materiais com uma estreita diferença entre as energias de "spin up" e "spin down" de elétrons bidimensionais na presença de campo magnético. Esta propriedade permite a fácil manipulação do spin eletrônico através da aplicação de um campo elétrico externo. Neste projeto investigaremos os efeitos da composição de Al sobre a polarização de spin e o transporte de elétrons bidimensionais em estruturas AlyGay-1As/AlxGax-1As. Como aplicação destes resultados, construiremos um transistor de spin, uma nova geração de dispositivos eletrônicos baseados no fluxo de spin em adição ao fluxo de carga. O orçamento aqui proposto visa garantir condições satisfatórias para o andamento dos trabalhos deste projeto. (AU)