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Propriedades ópticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras: teoria e experiência

Processo: 95/00789-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Temático
Vigência: 01 de julho de 1996 - 30 de junho de 2000
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Nelson Studart Filho
Beneficiário:Nelson Studart Filho
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Auxílios(s) vinculado(s):99/09579-2 - Alexandr Ivanovich Toropov | Institute of Semiconductors Physics/Russian Academy - Rússia, AV.EXT
99/07286-8 - I - Propagation and localization of vertically polarized plasmon-lo phonon collective excitations in doped gaas/aias superlattices. II - Resonant Raman study of the InAs/GaAs self assembled quantum dots, AR.EXT
99/04779-3 - Effect of a Periodic modulation on edge magnetoplasmons in the quantum Hall regime, AR.EXT
+ mais auxílios vinculados 99/04182-7 - 1) Mesoscopic quasi-1D electron transport: the correlated electron approach. 2) Magnetooptical anisotropy in the absorption coefficient of narrow-gap quantum wells. 3) Phoron blockade in the mesoscopic., AR.EXT
98/16135-0 - Fernando J. Comas Hernandez | Facultad de Fisica/Universidad de La Habana - Cuba, AV.EXT
98/10192-2 - Oleg G. Balev | Institute of Semiconductor Physics/National Acedemy Science Ukraine - Ucrânia, AV.EXT
98/10319-2 - José Sanchés-Dehesa | Fac. Ciências/Universidad Madrid - Espanha, AV.EXT
98/05281-6 - Raman spectroscopy of optical phonons in inas/gaas self assembled quantum dots., AR.EXT
98/06189-6 - 1) effects of intersubband coupling on friedel oscillations in quasi-two dimensional semiconductor systems. 2) polaron cyclotron resonance and phonon-assisted harmonics with interface phono...., AR.EXT
98/03025-2 - Carlos Trallero Giner | Universidad de La Habana - Cuba, AV.EXT
97/11269-6 - François M. Peeters | University of Antwerp - Bélgica, AV.EXT
97/02715-2 - 1) Plasmon-phonon coupling in &-doped semiconductors. 2) Enhancement of ressonant tunneling current of holes due to internal strains, AR.EXT
96/12148-5 - Alexandr Ivanovich Toropov | Institute of Semiconductor Physics - Rússia, AV.EXT - menos auxílios vinculados
Bolsa(s) vinculada(s):99/00362-0 - Mobilidade eletrônica em poços quânticos de semicondutores, BP.MS
98/01116-0 - Efeitos de muitos corpos nos espectros opticos de sistemas dopados a temperatura finita., BP.PD
97/09965-4 - Estudos de super-redes dopadas, por espectroscopia Raman, BP.DR
Assunto(s):Espectroscopia Raman  Magneto-óptica  Propriedades ópticas  Semicondutores 

Resumo

O projeto de pesquisa destina-se à investigação das propriedades ópticas e de transporte de heteroestruturas semicondutoras. A potencialidade da espectroscopia Raman está sendo explorada para caracterizar estas estruturas. Neste sentido, o arranjamento (em escala atômica) das interfaces em superredes tem sido analizado. A formação de minibandas e as propriedades de transporte, bem como as interações elétron-fônon, em superredes dopadas são investigadas. Pontos quânticos auto-organizados estão sendo estudados por fotoluminescência a 10K e espalhamento Ramn de segunda ordem. Efeitos de tensão estão também sendo analizados em heteroestruturas e o espectro de fônons ópticos tem sido determinado em soluções sólidas de semicondutores. Do ponto de vista teórico, estamos estudando as propriedades ópticas e de transporte de camadas dopadas do tipo delta, através do cálculo autoconsistente da estrutura eletrônica deste sistema de muitas subbandas, de modo a calcular as mobilidades quânticas e de transporte bem como a dispersão dos plasmons e fônos acoplados e o espalhamento de luz inelástico. Espalhamento Raman magneto-ressonante em semicondutores com estrutura blenda de zinco e o tunelamento ressonante de buracos através de dispositivos de barreira dupla são alguns tópicos selecionados que estão sendo estudados pelo nosso grupo. Estamos planejando ainda usar as técnicas de Monte Carlo e Dinâmica Molecular para estudar propriedades de transporte em dispositivos semicondutores de baixa dimensionalidade. (AU)