| Processo: | 13/24461-7 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de março de 2014 |
| Data de Término da vigência: | 29 de fevereiro de 2016 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Lucas Fugikawa Santos |
| Beneficiário: | Lucas Fugikawa Santos |
| Instituição Sede: | Instituto de Biociências, Letras e Ciências Exatas (IBILCE). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de São José do Rio Preto. São José do Rio Preto , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores Propriedades elétricas Filmes finos Transistores Óxidos metálicos Eletrônica molecular |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Amorfos | Caracterização Elétrica | Eletrônica Orgânica | Óxidos Metálicos Amorfos | Semicondutores Orgânicos | Transistores de efeito de campo orgânicos | Transistores de Filme Fino | Propriedades Elétricas de Materiais Semicondutores |
Resumo
O presente projeto apresenta uma proposta de estudar os efeitos do controle de atmosfera no desempenho de transistores de filme fino (TFTs) com a camada ativa composta tanto por semicondutores orgânicos quanto por óxidos metálicos semicondutores depositados por solução. A exposição da camada ativa de transistores de efeito de campo orgânicos (OFETs) ao oxigênio e à luz causa um deslocamento da tensão de threshold e da corrente de condução, o que, dependendo das condições de polarização dos eletrodos, degrada severamente o desempenho dos dispositivos. Este efeito está relacionado à formação de armadilhas de portadores de carga ocasionada por um processo reversível de foto-oxidação do semicondutor orgânico. Por outro lado, filmes de óxidos metálicos semicondutores utilizados na fabricação de TFTs transparentes apresentam uma grande variação na condutividade e na mobilidade dos portadores de carga com o tempo de armazenamento em um ambiente de atmosfera inerte, causando uma grande instabilidade no funcionamento deste tipo de dispositivo, efeito não-desejável em aplicações tecnológicas. O presente projeto propõe uma metodologia de estudo minucioso do comportamento elétrico de OFETs e de TFTs de óxidos semicondutores em função da exposição à atmosfera, em especial, à concentração de oxigênio. Espera-se com isso poder descrever, de forma qualitativa e quantitativa o papel do oxigênio no mecanismo de funcionamento dos dispositivos e como a dinâmica do processo de difusão do oxigênio na camada ativa depende de fatores como a temperatura e o tempo. (AU)
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