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Estudo da influência do controle de atmosfera no desempenho de transistores de filme fino para aplicações em circuitos transparentes e/ou flexíveis

Processo: 13/24461-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de março de 2014 - 29 de fevereiro de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Lucas Fugikawa Santos
Beneficiário:Lucas Fugikawa Santos
Instituição-sede: Instituto de Biociências, Letras e Ciências Exatas (IBILCE). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de São José do Rio Preto. São José do Rio Preto , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Propriedades elétricas  Filmes finos  Transistores  Óxidos metálicos  Eletrônica molecular 

Resumo

O presente projeto apresenta uma proposta de estudar os efeitos do controle de atmosfera no desempenho de transistores de filme fino (TFTs) com a camada ativa composta tanto por semicondutores orgânicos quanto por óxidos metálicos semicondutores depositados por solução. A exposição da camada ativa de transistores de efeito de campo orgânicos (OFETs) ao oxigênio e à luz causa um deslocamento da tensão de threshold e da corrente de condução, o que, dependendo das condições de polarização dos eletrodos, degrada severamente o desempenho dos dispositivos. Este efeito está relacionado à formação de armadilhas de portadores de carga ocasionada por um processo reversível de foto-oxidação do semicondutor orgânico. Por outro lado, filmes de óxidos metálicos semicondutores utilizados na fabricação de TFTs transparentes apresentam uma grande variação na condutividade e na mobilidade dos portadores de carga com o tempo de armazenamento em um ambiente de atmosfera inerte, causando uma grande instabilidade no funcionamento deste tipo de dispositivo, efeito não-desejável em aplicações tecnológicas. O presente projeto propõe uma metodologia de estudo minucioso do comportamento elétrico de OFETs e de TFTs de óxidos semicondutores em função da exposição à atmosfera, em especial, à concentração de oxigênio. Espera-se com isso poder descrever, de forma qualitativa e quantitativa o papel do oxigênio no mecanismo de funcionamento dos dispositivos e como a dinâmica do processo de difusão do oxigênio na camada ativa depende de fatores como a temperatura e o tempo. (AU)

Publicações científicas (7)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
GALINDO, LEVY A.; GOZZI, GIOVANI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; FARIA, ROBERTO M.; LAVARDA, FRANCISCO C.; BATAGIN-NETO, AUGUSTO. Investigation of the polymer-salt interactions in polymeric light emitting electrochemical cells: Electronic structure calculations and experimental studies. ORGANIC ELECTRONICS, v. 79, APR 2020. Citações Web of Science: 0.
BRAGA, JOAO P.; MOISES, LUCAS A.; GOZZI, GIOVANI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. Prediction of the electrical response of solution-processed thin-film transistors using multifactorial analysis. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 30, n. 18, SI, p. 16939-16948, SEP 2019. Citações Web of Science: 0.
CANTUARIA, JOSE BRUNO; GOZZI, GIOVANI; SANTOS, LUCAS FUGIKAWA. On the UV-light-induced Desorption/Adsorption Mechanism of Atmospheric Species in Solution-processed Zinc Oxide Thin Films. MRS ADVANCES, v. 4, n. 2, p. 111-117, 2019. Citações Web of Science: 0.
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MARTINS, DENIS E.; GOZZI, GIOVANI; SANTOS, LUCAS FUGIKAWA. Influence of spray-pyrolysis deposition parameters on the electrical properties of aluminium zinc oxides thin films. MRS ADVANCES, v. 3, n. 5, p. 283-289, 2018. Citações Web of Science: 1.
GOZZI, G.; CAGNANI, L. D.; FARIA, R. M.; SANTOS, L. F. Electrical properties of electrochemically doped organic semiconductors using light-emitting electrochemical cells. Journal of Solid State Electrochemistry, v. 20, n. 8, p. 2127-2133, AUG 2016. Citações Web of Science: 3.
AMORIM, CLEBER A.; GOZZI, GIOVANI; CHINAGLIA, DANTE L.; DOS SANTOS, FRANCISCO JOSE; SANTOS, LUCAS FUGIKAWA. Synthesis of Transparent Semiconducting Metal-oxides via Polymeric Precursor Route for Application in Thin-film Field-Effect Transistors. MRS ADVANCES, v. 1, n. 7, p. 489-494, 2016. Citações Web of Science: 1.

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