International Integrated Reliability Workshop

• Processo: 14/18210-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 12 de outubro de 2014
• Data de Término da vigência: 16 de outubro de 2014
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Roberto Lacerda de Orio
• Beneficiário: Roberto Lacerda de Orio
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Confiabilidade Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: confiabilidade | Dispositivos Semicondutores | Interconexões de cobre | Micro e Nanoeletrônica | Confiabilidade em micro e nanoeletrônica

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DE ORIO, R. L.; GOUSSEAU, S.; MOREAU, S.; CERIC, H.; SELBERHERR, S.; FARCY, A.; BAY, F.; INAL, K.; MONTMITONNET, P.; IEEE. On the Material Depletion Rate due to Electromigration in a Copper TSV Structure. 2014 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT (IIRW), v. N/A, p. 4-pg., 2014-01-01. (14/18210-4)