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Propriedades de transporte de heteroestruturas semicondutoras III-Bi-V para dispositivos fotônicos avançados

Processo: 14/50513-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de março de 2015 - 28 de fevereiro de 2018
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Convênio/Acordo: AKA
Pesquisador responsável:Helder Vinícius Avanço Galeti
Beneficiário:Helder Vinícius Avanço Galeti
Pesq. responsável no exterior: Mircea Guina
Instituição no exterior: Tampere University of Technology (TUT), Finlândia
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores  Células solares  Propriedades ópticas  Propriedades de transporte  Cooperação internacional 

Resumo

Esse projeto de pesquisa tem como objetivo desenvolver novas tecnologias e aplicações de nanoestruturas e nanodispositivos baseados em novos materiais III-Bi-V semicondutores. O projeto tem também como objetivo iniciar nova colaboração científica internacional com um grupo de pesquisa da Finlândia. O projeto envolve o crescimento, caracterização, processamento e estudo sistemático de propriedades de transporte e óticas de novos materiais semicondutores avançados em colaboração com o grupo do "Optoelectronic Research Centre" e dois Departamentos da UFSCAR, o recém criado Departamento de Engenharia Elétrica e Departamento de Física. (AU)

Publicações científicas (13)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
SOUTO, S.; HILSKA, J.; GOBATO, Y. GALVAO; SOUZA, D.; ANDRADE, M. B.; KOIVUSALO, E.; PUUSTINEN, J.; GUINA, M. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, v. 116, n. 20 MAY 18 2020. Citações Web of Science: 0.
BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; LEGER, Y.; CARRERE, H.; BAHRI, M.; PATRIARCHE, G.; MARIE, X.; CORNET, C. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, JAN 25 2020. Citações Web of Science: 1.
PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1 DEC 2019. Citações Web of Science: 0.
PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33 AUG 16 2019. Citações Web of Science: 1.
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; LUPO, DONALD; KOENRAAD, PAUL M.; LEITE, EDSON ROBERTO; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8 AUG 5 2019. Citações Web of Science: 0.
KOIVUSALO, EERO S.; HAKKARAINEN, TEEMU V.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA G.; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA D. Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires. Nano Letters, v. 19, n. 1, p. 82-89, JAN 2019. Citações Web of Science: 4.
GUNES, M.; UKELGE, M. O.; DONMEZ, O.; EROL, A.; GUMUS, C.; ALGHAMDI, H.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; SCHMIDBAUER, M.; HILSKA, J.; PUUSTINEN, J.; GUINA, M. Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 12 DEC 2018. Citações Web of Science: 0.
AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; AL HUWAYZ, MARYAM M.; ALBADRI, ABDULRAHMAN M.; ALYAMANI, AHMED Y.; ALBRITHEN, HAMAD A.; ALHUSAINI, SAMI A.; ALJABER, KHALID M.; ALANAZI, ALI Z.; ALGHAMDI, FAHAD S. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, OCT 25 2018. Citações Web of Science: 6.
PRANDO, G. A.; ORSI GORDO, V.; PUUSTINEN, J.; HILSKA, J.; ALGHAMDI, H. M.; SOM, G.; GUNES, M.; AKYOL, M.; SOUTO, S.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; GALVAO GOBATO, Y.; GUINA, M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8 AUG 2018. Citações Web of Science: 0.
ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; HUANG, C. C. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, MAR 14 2018. Citações Web of Science: 7.
BALANTA, M. A. G.; ORSI GORDO, V.; CARVALHO, A. R. H.; PUUSTINEN, J.; ALGHAMDI, H. M.; HENINI, M.; GALETI, H. V. A.; GUINA, M.; GALVAO GOBATO, Y. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells. Journal of Luminescence, v. 182, p. 49-52, FEB 2017. Citações Web of Science: 4.
BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; GALVAO GOBATO, Y. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35 SEP 7 2016. Citações Web of Science: 7.
RODRIGUES, D. H.; BRASIL, M. J. S. P.; ORLITA, M.; KUNC, J.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; TAYLOR, D.; GALVAO GOBATO, Y. Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 16 APR 27 2016. Citações Web of Science: 0.

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