Busca avançada
Ano de início
Entree

Ultrathin semiconductors deposited by Atomic Layer Deposition (ALD) for solar cell application

Processo: 14/50718-8
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de março de 2015 - 31 de outubro de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: MIT
Pesquisador responsável:Francisco das Chagas Marques
Beneficiário:Francisco das Chagas Marques
Pesq. responsável no exterior: Tonio Buonassisi
Instituição no exterior: Massachusetts Institute of Technology (MIT), Estados Unidos
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:12/10127-5 - Pesquisa e desenvolvimento de materiais nanoestruturados para aplicações eletrônicas e de física de superfícies, AP.TEM
Assunto(s):Desenvolvimento de novos materiais  Óptica eletrônica  Semicondutores  Células solares  Filmes finos  Propriedades dos materiais  Deposição de camada atômica 

Resumo

This project involves the Photovoltaics Research Laboratory of the University of Campinas and the Photovoltaics Research Laboratory of MIT. It was motivated by previous contacts between Prof. Marques and Prof. Buonassisi in conferences, visits to each others' laboratories and project proposals. In this project, we intend to continue our effort to establish a formal cooperation to strength our research activities. Both laboratories work in the development of materiais for the fabrication of solar cells, including different techniques and charaderization methods. The facilities of both laboratories together potentiate the development of new materiais, new devices and the investigation of a larger variety of optoelectronic, structural and mechanical properties. Both laboratories can benefrt from this cooperation by broadening their activities by the incorporation of new and different techniques to the development and investigation of the properties of materiais and devices. The main focus is related to the development, modeling and investigation of the properties of semicondudors deposited by the Atomic Layer Deposition (ALD). The MIT group has expertise in this area, while we are initiating to work in this area after a recent acquisition of an ALD system in an on FAPESP (Temático) Grant project. Thus, beside the expected gains with the exchange of researchers and students, we will benefit from the exchange of notable expertise in this area. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
HOYE, ROBERT L. Z.; SCHULZ, PHILIP; SCHELHAS, LAURA T.; HOLDER, AARON M.; STONE, KEVIN H.; PERKINS, JOHN D.; VIGIL-FOWLER, DEREK; SIOL, SEBASTIAN; SCANLON, DAVID O.; ZAKUTAYEV, ANDRIY; WALSH, ARON; SMITH, IAN C.; MELOT, BRENT C.; KURCHIN, RACHEL C.; WANG, YIPING; SHI, JIAN; MARQUES, FRANCISCO C.; BERRY, JOSEPH J.; TUMAS, WILLIAM; LANY, STEPHAN; STEVANOVIC, VLADAN; TONEY, MICHAEL F.; BUONASSISI, TONIO. Perovskite-Inspired Photovoltaic Materials: Toward Best Practices in Materials Characterization and Calculations. Chemistry of Materials, v. 29, n. 5, p. 1964-1988, MAR 14 2017. Citações Web of Science: 42.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.
Mapa da distribuição dos acessos desta página
Para ver o sumário de acessos desta página, clique aqui.