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Heteroestruturas em nanofios semicondutores: emissores de luz nanométricos estudados por microscopia de varredura de tunelamento

Processo: 14/23399-9
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
Vigência: 01 de novembro de 2015 - 31 de dezembro de 2021
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luiz Fernando Zagonel
Beneficiário:Luiz Fernando Zagonel
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Auxílios(s) vinculado(s):21/06893-3 - Materiais oticamente ativos estudados por microscopia de varredura de tunelamento, AP.JP2
16/01918-0 - EMU concedido no processo 2014/23399-9: microscópio de varredura de tunelamento criogênico de ultra-alto-vácuo equipado com detector de espectros de alto desempenho, AP.EMU
Bolsa(s) vinculada(s):19/24877-5 - Mapeamento de luminescência em STM, BP.IC
18/08543-7 - Emissão de luz por defeitos em materiais bidimensionais, BP.DR
17/17358-6 - Desenvolvimento de um detector de luz para um microscópio de varredura de tunelamento de baixa temperatura, BP.IC
+ mais bolsas vinculadas 17/14369-7 - Desenvolvimento do sistema de refrigeração de um manipulador UHV para o dispositivo detector de luz LT-STM, BP.IC
17/00259-5 - Sistema ótico de alto desempenho para um microscópio de varredura de tunelamento, BP.MS
16/22184-4 - Desenvolvimento de um dispositivo detector de luz para um LT-STM: simulações e protótipo, BP.IC - menos bolsas vinculadas
Assunto(s):Semicondutores  Microscopia  Nanofios  Espectroscopia óptica 

Resumo

Esse projeto visa nuclear um grupo de pesquisa em espectroscopia ótica de emissores de luz individuais estudada com alta resolução espacial e espectral por Microscopia de Varredura de Tunelamento (STM) associada a um sistema óptico de alto desempenho. Nesse sistema, sinais de luminescência local gerados pela corrente de efeito túnel do STM serão utilizados para o estudo de nanoestruturas semicondutoras com resolução espacial sub-nanométrica. Os objetivos dessa proposta são desenvolver um sistema instrumental único, no estado da arte, e explorar as potencialidades desse sistema no estudo de heteroestruturas InP, In(Ga)P e GaP formadas dentro de nanofios, incluindo polimorfismo. Nanofios do grupo III-V, de grande interesse tecnológico, tem revelado novas propriedades e estudos ópticos em escala nanométrica via STM, em correlação com Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM), irão permitir um avanço rápido e ágil dessa fronteira do conhecimento. Os efeitos de mudanças de fase, interfaces, gradientes de composição e junções das heteroestruturas poderão ser correlacionados com as propriedades ópticas locais e globais de nanoestruturas individuais dentro de nanofios. Assim, este projeto deverá contribuir para a compreensão das propriedades óticas desses novos materiais. Esse projeto também irá explorar, posteriormente, outros sistemas físicos de interesse, como C-Dots or semicondutores bidimensionais (MoS2, BN, entre outros). (AU)

Matéria(s) publicada(s) no Pesquisa para Inovação FAPESP sobre o auxílio:
Novo equipamento impacta mercado internacional de microscópios 
Pesquisa feita na Unicamp possibilita o desenvolvimento futuro de LEDs de luz ultravioleta 
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
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Publicações científicas (7)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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ROMAN, RICARDO JAVIER PENA; COSTA, FABIO J. R. COSTA; ZOBELLI, ALBERTO; ELIAS, CHRISTINE; VALVIN, PIERRE; CASSABOIS, GUILLAUME; GIL, BERNARD; SUMMERFIELD, ALEX; CHENG, TIN S.; MELLOR, CHRISTOPHER J.; et al. Band gap measurements of monolayer h-BN and insights into carbon-related point defects. 2D MATERIALS, v. 8, n. 4, . (18/08543-7, 14/23399-9)
ZAGONEL, L. F.; TIZEI, L. H. G.; VITIELLO, G. Z.; JACOPIN, G.; RIGUTTI, L.; TCHERNYCHEVA, M.; JULIEN, F. H.; SONGMUANG, R.; OSTASEVICIUS, T.; DE LA PENA, F.; et al. Nanometer-scale monitoring of quantum-confined Stark effect and emission efficiency droop in multiple GaN/AlN quantum disks in nanowires. Physical Review B, v. 93, n. 20, . (12/10127-5, 14/23399-9)
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