Heteroestruturas em nanofios semicondutores: emissores de luz nanométricos estudados por microscopia de varredura de tunelamento

• Processo: 14/23399-9
• Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Apoio a Jovens Pesquisadores
• Vigência: 01 de novembro de 2015 - 31 de dezembro de 2021
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luiz Fernando Zagonel
• Beneficiário: Luiz Fernando Zagonel
• Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Auxílios(s) vinculado(s): 21/06893-3 - Materiais oticamente ativos estudados por microscopia de varredura de tunelamento, AP.JP2; 16/01918-0 - EMU concedido no processo 2014/23399-9: microscópio de varredura de tunelamento criogênico de ultra-alto-vácuo equipado com detector de espectros de alto desempenho, AP.EMU
• Bolsa(s) vinculada(s): 19/24877-5 - Mapeamento de luminescência em STM, BP.IC; 18/08543-7 - Emissão de luz por defeitos em materiais bidimensionais, BP.DR; 17/17358-6 - Desenvolvimento de um detector de luz para um microscópio de varredura de tunelamento de baixa temperatura, BP.IC; + mais bolsas vinculadas 17/14369-7 - Desenvolvimento do sistema de refrigeração de um manipulador UHV para o dispositivo detector de luz LT-STM, BP.IC; 17/00259-5 - Sistema ótico de alto desempenho para um microscópio de varredura de tunelamento, BP.MS; 16/22184-4 - Desenvolvimento de um dispositivo detector de luz para um LT-STM: simulações e protótipo, BP.IC - menos bolsas vinculadas
• Assunto(s): Semicondutores Microscopia Nanofios Espectroscopia óptica

Resumo

Esse projeto visa nuclear um grupo de pesquisa em espectroscopia ótica de emissores de luz individuais estudada com alta resolução espacial e espectral por Microscopia de Varredura de Tunelamento (STM) associada a um sistema óptico de alto desempenho. Nesse sistema, sinais de luminescência local gerados pela corrente de efeito túnel do STM serão utilizados para o estudo de nanoestruturas semicondutoras com resolução espacial sub-nanométrica. Os objetivos dessa proposta são desenvolver um sistema instrumental único, no estado da arte, e explorar as potencialidades desse sistema no estudo de heteroestruturas InP, In(Ga)P e GaP formadas dentro de nanofios, incluindo polimorfismo. Nanofios do grupo III-V, de grande interesse tecnológico, tem revelado novas propriedades e estudos ópticos em escala nanométrica via STM, em correlação com Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM), irão permitir um avanço rápido e ágil dessa fronteira do conhecimento. Os efeitos de mudanças de fase, interfaces, gradientes de composição e junções das heteroestruturas poderão ser correlacionados com as propriedades ópticas locais e globais de nanoestruturas individuais dentro de nanofios. Assim, este projeto deverá contribuir para a compreensão das propriedades óticas desses novos materiais. Esse projeto também irá explorar, posteriormente, outros sistemas físicos de interesse, como C-Dots or semicondutores bidimensionais (MoS2, BN, entre outros). (AU)

Publicações científicas

(7)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

ROMAN, RICARDO JAVIER PENA; COSTA, FABIO J. R. COSTA; ZOBELLI, ALBERTO; ELIAS, CHRISTINE; VALVIN, PIERRE; CASSABOIS, GUILLAUME; GIL, BERNARD; SUMMERFIELD, ALEX; CHENG, TIN S.; MELLOR, CHRISTOPHER J.; BETON, PETER H.; NOVIKOV, V, SERGEI; ZAGONEL, LUIZ F. Band gap measurements of monolayer h-BN and insights into carbon-related point defects. 2D MATERIALS, v. 8, n. 4 OCT 2021. Citações Web of Science: 0.

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