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EMU concedido no processo 2014/23399-9: microscópio de varredura de tunelamento criogênico de ultra-alto-vácuo equipado com detector de espectros de alto desempenho

Processo: 16/01918-0
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários
Vigência: 01 de março de 2018 - 28 de fevereiro de 2025
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luiz Fernando Zagonel
Beneficiário:Luiz Fernando Zagonel
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:14/23399-9 - Heteroestruturas em nanofios semicondutores: emissores de luz nanométricos estudados por microscopia de varredura de tunelamento, AP.JP
Assunto(s):Nanotecnologia  Luminescência  Microscopia eletrônica de varredura  Microscopia de tunelamento  Propriedades ópticas  Semicondutores 
As informações de acesso ao Equipamento Multiusuário são de responsabilidade do Pesquisador responsável
Página web do EMU:https://sites.ifi.unicamp.br/lamult/acervo-2/acervo-predio-lamult/acervo-lamult/
Tipo de equipamento:Caracterização de Materiais - Microscopia eletrônica/iônica - Criogênica
Caracterização de Materiais - Análises de Superficies - Microscopia de sonda (AFM, STM)
Fabricante: RHK Technology
Modelo: Pan-Style LT UHV STM System

Resumo

Esse projeto visa nuclear um grupo de pesquisa em espectroscopia ótica de emissores de luz individuais estudada com alta resolução espacial e espectral por Microscopia de Varredura de Tunelamento (STM) associada a um sistema óptico de alto desempenho. Nesse sistema, sinais de luminescência local gerados pela corrente de efeito túnel do STM serão utilizados para o estudo de nanoestruturas semicondutoras com resolução espacial sub-nanométrica. Os objetivos dessa proposta são desenvolver um sistema instrumental único, no estado da arte, e explorar as potencialidades. Assim, este projeto deverá contribuir para a compreensão das propriedades óticas de novos materiais, como nanofios semicondutores III-V, C-Dots, semicondutores bidimensionais (MoS2, BN, etc), entre outros. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Microscópio de tunelamento entra em funcionamento na Unicamp