EMU concedido no processo 2014/23399-9: microscópio de varredura de tunelamento criogênico de ultra-alto-vácuo equipado com detector de espectros de alto desempenho

• Processo: 16/01918-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Equipamentos Multiusuários
• Vigência: 01 de março de 2018 - 28 de fevereiro de 2025
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luiz Fernando Zagonel
• Beneficiário: Luiz Fernando Zagonel
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 14/23399-9 - Heteroestruturas em nanofios semicondutores: emissores de luz nanométricos estudados por microscopia de varredura de tunelamento, AP.JP
• Assunto(s): Nanotecnologia Luminescência Microscopia eletrônica de varredura Microscopia de tunelamento Propriedades ópticas Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: luminescência | Nanotecnologia | Stm | Nanotechnologia
• Página web do EMU: https://sites.ifi.unicamp.br/lamult/acervo-2/acervo-predio-lamult/acervo-lamult/
• Tipo de equipamento: Caracterização de Materiais - Microscopia eletrônica/iônica - Criogênica; Caracterização de Materiais - Análises de Superficies - Microscopia de sonda (AFM, STM)
• Fabricante: RHK Technology
• Modelo: Pan-Style LT UHV STM System

Resumo

Esse projeto visa nuclear um grupo de pesquisa em espectroscopia ótica de emissores de luz individuais estudada com alta resolução espacial e espectral por Microscopia de Varredura de Tunelamento (STM) associada a um sistema óptico de alto desempenho. Nesse sistema, sinais de luminescência local gerados pela corrente de efeito túnel do STM serão utilizados para o estudo de nanoestruturas semicondutoras com resolução espacial sub-nanométrica. Os objetivos dessa proposta são desenvolver um sistema instrumental único, no estado da arte, e explorar as potencialidades. Assim, este projeto deverá contribuir para a compreensão das propriedades óticas de novos materiais, como nanofios semicondutores III-V, C-Dots, semicondutores bidimensionais (MoS2, BN, etc), entre outros. (AU)