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Propriedades óticas, magneto-óticas, dè transporte e magneto-transporte dè materiais semicondutores bidimensionais baseados Èm materiais dè transição dicalcogenados

Processo: 16/10668-7
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de agosto de 2016 - 31 de agosto de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Fotoluminescência 

Resumo

Neste projeto, pretendemos investigar as propriedades óticas e de transporte de materiais semicondutores bidimensionais (2D) baseados em metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M=Mo, W e X= S, Se ou Te). Os semicondutores 2D MTDs possuem assimetria de inversão de estrutura cristalina, gap de banda direto, forte interação spin-orbita e forte interação coulombiana e são sistemas promissores para aplicações em optoeletrônica. Pretendemos investigar suas propriedades usando técnicas de espectroscopia Raman, fotoluminescência (PL) e magneto-fotoluminescência resolvidas em polarização e resolvidas no tempo (PLRT) e de transporte e magneto-transporte. Em particular, pretendemos estudar monocamadas, multicamadas e heteroestruturas laterais e verticais e dispositivos de TMDs crescidos pela técnica de "chemical vapor deposition"(CVD) em diversas colaborações internacionais. (AU)

Publicações científicas (20)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
AL MASHARY, FAISAL S.; FELIX, JORLANDIO F.; FERREIRA, SUKARNO O.; DE SOUZA, DANIELE; GOBATO, YARA G.; CHAUHAN, JASBINDER; ALEXEEVA, NATALIA; HENINI, MOHAMED; ALBADRI, ABDULRAHMAN M.; ALYAMANI, AHMED Y. Investigation of the structural, optical and electrical properties of indium-doped TiO2 thin films grown by Pulsed Laser Deposition technique on low and high index GaAs planes. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, v. 259, SEP 2020. Citações Web of Science: 0.
SOUTO, S.; HILSKA, J.; GOBATO, Y. GALVAO; SOUZA, D.; ANDRADE, M. B.; KOIVUSALO, E.; PUUSTINEN, J.; GUINA, M. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, v. 116, n. 20 MAY 18 2020. Citações Web of Science: 0.
ASSIS, MARCELO; RIBEIRO, RENAN A. P.; CARVALHO COSTA, MARIA HELENA; MONDEGO TEIXEIRA, MAYARA; GALVAO GOBATO, YARA; PRANDO, GABRIELA A.; RENATO MENDONCA, CLEBER; DE BONI, LEONARDO; APARECIDO DE OLIVEIRA, ADILSON JESUS; BETTINI, JEFFERSON; ANDRES, JUAN; LONGO, ELSON. Unconventional Magnetization Generated from Electron Beam and Femtosecond Irradiation on alpha-Ag2WO4: A Quantum Chemical Investigation. ACS OMEGA, v. 5, n. 17, p. 10052-10067, MAY 5 2020. Citações Web of Science: 0.
FRANCO, DOUGLAS F.; MANZANI, DANILO; CARVAJAL, EDUAR E.; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; DONOSO, JOSE PEDRO; MAGON, CLAUDIO J.; ANTONIO, SELMA G.; GOBATO, YARA GALVAO; NALIN, MARCELO. Optical and EPR studies of zinc phosphate glasses containing Mn2+ ions. Journal of Materials Science, v. 55, n. 23, SI MAY 2020. Citações Web of Science: 1.
ALGHAMDI, HAIFA; GORDO, VANESSA ORSI; SCHMIDBAUER, MARTIN; FELIX, JORLANDIO F.; ALHASSAN, SULTAN; ALHASSNI, AMRA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; COELHO-JUNIOR, HORACIO; GUNES, MUSTAFA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; HENINI, MOHAMED. Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of (311)B and (001) GaAsBi/GaAs single quantum wells grown by MBE. Journal of Applied Physics, v. 127, n. 12 MAR 31 2020. Citações Web of Science: 1.
BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; LEGER, Y.; CARRERE, H.; BAHRI, M.; PATRIARCHE, G.; MARIE, X.; CORNET, C. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, JAN 25 2020. Citações Web of Science: 1.
PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1 DEC 2019. Citações Web of Science: 0.
PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33 AUG 16 2019. Citações Web of Science: 1.
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; LUPO, DONALD; KOENRAAD, PAUL M.; LEITE, EDSON ROBERTO; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8 AUG 5 2019. Citações Web of Science: 0.
SINGH, MOHIT KUMAR; BHUNIA, AMIT; AL HUWAYZ, MARYAM; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Role of interface potential barrier, Auger recombination and temporal coherence in In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dot-based p-i-n light emitting diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 9 FEB 27 2019. Citações Web of Science: 0.
KOIVUSALO, EERO S.; HAKKARAINEN, TEEMU V.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA G.; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA D. Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires. Nano Letters, v. 19, n. 1, p. 82-89, JAN 2019. Citações Web of Science: 4.
GUNES, M.; UKELGE, M. O.; DONMEZ, O.; EROL, A.; GUMUS, C.; ALGHAMDI, H.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; SCHMIDBAUER, M.; HILSKA, J.; PUUSTINEN, J.; GUINA, M. Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 12 DEC 2018. Citações Web of Science: 0.
MONDAL, SANJIB; GHOSH, ANUPAM; RIZZO PITON, M.; GOMES, JOAQUIM P.; FELIX, JORLANDIO F.; GALVAO GOBATO, Y.; AVANCO GALETI, H. V.; CHOUDHURI, B.; DWIVEDI, S. M. M. DHAR; HENINI, M.; MONDAL, ANIRUDDHA. Investigation of optical and electrical properties of erbium-doped TiO2 thin films for photodetector applications. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 29, n. 22, p. 19588-19600, NOV 2018. Citações Web of Science: 3.
AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; AL HUWAYZ, MARYAM M.; ALBADRI, ABDULRAHMAN M.; ALYAMANI, AHMED Y.; ALBRITHEN, HAMAD A.; ALHUSAINI, SAMI A.; ALJABER, KHALID M.; ALANAZI, ALI Z.; ALGHAMDI, FAHAD S. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, OCT 25 2018. Citações Web of Science: 6.
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental Detection and Control of Trions and Fermi-Edge Singularity in Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures Using Photocapacitance Spectroscopy. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 10, n. 4 OCT 17 2018. Citações Web of Science: 0.
PRANDO, G. A.; ORSI GORDO, V.; PUUSTINEN, J.; HILSKA, J.; ALGHAMDI, H. M.; SOM, G.; GUNES, M.; AKYOL, M.; SOUTO, S.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; GALVAO GOBATO, Y.; GUINA, M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8 AUG 2018. Citações Web of Science: 0.
ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; HUANG, C. C. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, MAR 14 2018. Citações Web of Science: 7.
GALETI, H. V. A.; GALVAO GOBATO, Y.; BRASIL, M. J. S. P.; TAYLOR, D.; HENINI, M. Voltage- and Light-Controlled Spin Properties of a Two-Dimensional Hole Gas in p-Type GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, v. 47, n. 3, p. 1780-1785, MAR 2018. Citações Web of Science: 0.
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GALVAO GOBATO, Y.; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental evidences of quantum confined 2D indirect excitons in single barrier GaAs/AlAs/GaAs heterostructure using photocapacitance at room temperature. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 4 JAN 28 2018. Citações Web of Science: 1.
AL SAQRI, NOOR ALHUDA; MONDAL, ANIRUDDHA; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; GOBATO, YARA GALVAO; GORDO, VANESSA ORSI; ALBALAWI, HIND; JAMEEL, DLER; ALGHAMDI, HAIFA; AL MASHARY, FAISAL; TAYLOR, DAVID; ABD EL-SADEK, MAHMMOUD S.; HENINI, MOHAMED. Investigation of defects in indium doped TiO2 thin films using electrical and optical techniques. Journal of Alloys and Compounds, v. 698, p. 883-891, MAR 25 2017. Citações Web of Science: 9.

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