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1st Paulista-Bavarian Workshop on Nano-Tailored Semiconductor Devices (NTSD) | São Carlos - SP

Processo: 16/50080-9
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Organização de Reunião Científica
Vigência: 13 de fevereiro de 2017 - 31 de outubro de 2017
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: BAYLAT/StMBW - Bavarian Academic Center for Latin America and Bavarian State Ministry of Science and the Arts
Pesquisador responsável:Gilmar Eugenio Marques
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Pesq. responsável no exterior: Sven Hofling
Instituição no exterior: Universität Würzburg, Alemanha
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Nanotecnologia  Semicondutores  Materiais nanoestruturados 
Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
1st Paulista-Bavarian Workshop on Nano-Tailored Semiconductor Devices (NTSD) 

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
CANDIDO, DENIS R.; KHARITONOV, MAXIM; EGUES, J. CARLOS; HANKIEWICZ, EWELINA M. Paradoxical extension of the edge states across the topological phase transition due to emergent approximate chiral symmetry in a quantum anomalous Hall system. Physical Review B, v. 98, n. 16 OCT 15 2018. Citações Web of Science: 3.
CARDOZO DE OLIVEIRA, E. R.; PFENNING, A.; GUARIN CASTRO, E. D.; TEODORO, M. D.; DOS SANTOS, E. C.; LOPEZ-RICHARD, V.; MARQUES, G. E.; WORSCHECH, L.; HARTMANN, F.; HOEFLING, S. Electroluminescence on-off ratio control of n-i-n GaAs/AlGaAs-based resonant tunneling structures. Physical Review B, v. 98, n. 7 AUG 1 2018. Citações Web of Science: 1.

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