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Crescimento de monocristais de novos supercondutores com forte manifestação de multibandas (miltigaps) nos sistemas Hf-V-Ga e Zr-V-Ga

Processo: 16/21378-0
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Pesquisador Visitante - Brasil
Vigência: 07 de fevereiro de 2017 - 07 de abril de 2017
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
Pesquisador responsável:Antonio Jefferson da Silva Machado
Beneficiário:Antonio Jefferson da Silva Machado
Pesquisador visitante: Adolfo Franco Junior
Inst. do pesquisador visitante: Universidade Federal de Goiás (UFG). Instituto de Física, Brasil
Instituição-sede: Escola de Engenharia de Lorena (EEL). Universidade de São Paulo (USP). Lorena , SP, Brasil
Assunto(s):Efeito Hall  Crescimento de cristais 

Resumo

Este plano versa sobre a possibilidade de crescimento de monocristais de compostos de composições HfV2Ga4, ZrV2Ga4 e ScV2Ga4. Os resultados apresentados aqui mostram que estes compostos exibem comportamento supercondutor que pode ser entendido dentro do cenário de multibandas. A assinatura de múltiplos gaps supercondutores foram verificados em medidas de calor específico em HfV2Ga4. Entretanto, o comportamento sem influência de contornos de grão e eventuais fases espúrias ou secundárias, só seria possível ser observado em monocristais de alta qualidade. Por este motivo, o principal objetivo deste projeto é explorar duas técnicas de crescimento de cristais, bem como a viabilidade das mesmas para estes sistemas. Neste sentido, a visita e colaboração do Prof. Dr. Adolfo Franco Júnior é de fundamental importância pela experiência do mesmo em caracterização de monocristais de alta qualidade, bem como a troca de experiência entre dois grupos que têm assuntos em comum. (AU)