Busca avançada
Ano de início
Entree

Tecnologias de dispositivos fotônicos para transceptores ópticos avançados 100Gbps e além

Processo: 16/20615-8
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de fevereiro de 2017 - 30 de abril de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações
Pesquisador responsável:Giovanni Benincá de Farias
Beneficiário:Giovanni Benincá de Farias
Instituição-sede: Centro de Pesquisa e Desenvolvimento (CPqD). Campinas , SP, Brasil
Pesq. associados: Alexandre Passos Freitas ; Diego Marques Dourado ; Diogo de Azevedo Motta ; Henrique Freire Santana ; Jacklyn Dias Reis ; João Carlos Soriano Sampaio Januário ; João Paulo Pereira Do Carmo ; Mayara Everlim Bonani ; Uiara Celine de Moura ; Wilson de Carvalho Junior ; Yesica Rumaldo Bustamante
Assunto(s):Laser  Dispositivos ópticos 

Resumo

Devido à popularização de serviços que requerem banda larga, a demanda de tráfego IP nas redes de telecomunicações vem crescendo à uma taxa exponencial. Desta forma se torna essencial o desenvolvimento de novas tecnologias que permitam a evolução dos sistemas ópticos para taxas de transmissão maiores aliado à um consumo energético mais eficiente e dispositivos mais compactos. As tecnologias de dispositivos atuais são constituídas pelo agrupamento de diversos componentes discretos, aumentando assim a densidade e consumo energético dos módulos. Assim sendo, a tecnologia de fotônica integrada vêm atraindo grande interesse da indústria para as futuras gerações de dispositivos ópticos. Neste contexto, a proposta de projeto atua sobre a concepção de novas tecnologias de dispositivos fotônicos integrados com o objetivo de prover soluções que permitam o aumento do desempenho do sistema sem o aumento demasiado de custo. A principal aplicação visada são sistemas de comunicação óptica de longo e médio alcance com tecnologia coerente, atuando em blocos básicos do transceptor óptico como laser, transmissor e amplificador ópticos. O principal desafio do projeto é prover soluções que sejam compactas, eficientes do ponto de vista energético e que ofereçam um desempenho compatível com as demandas de mercado. Para se atingir estes objetivos, as principais linhas de pesquisa são: definição de requisitos de produto para tecnologias 100Gbps e 400Gbps para as aplicações visadas, estudo de novas plataformas de fabricação e arquiteturas de dispositivos fotônicos de nova geração; design avançado de dispositivos e circuitos fotônicos integrados; estudo e avaliação de técnicas de encapsulamento de alto desempenho; validação sistêmica dos protótipos fabricados. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DOURADO, DIEGO M.; DE FARIASE, GIOVANNI B.; BUSTAMANTE, YESICA R. R.; ROCHA, MONICA DE L.; CARMO, J. P. Capacitive Silicon Modulator Design With V-Shaped SiO2 Gate Waveguide to Optimize V-pi x L and Bandwidth Trade-Off. IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, v. 26, n. 2 MAR-APR 2020. Citações Web of Science: 0.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.