Busca avançada
Ano de início
Entree

Produção de filmes e heteroestruturas à base de GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos SAW

Processo: 15/06241-5
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de março de 2017 - 31 de agosto de 2019
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Beneficiário:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Instituição Sede: Divisão de Ciências Fundamentais (IEF). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Pesquisadores associados:André Luis de Jesus Pereira ; Argemiro Soares da Silva Sobrinho ; Gilberto Petraconi ; Marcos Massi ; Walter Miyakawa
Assunto(s):Pulverização catódica  Semicondutores  GAN  Heteroestruturas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:AlGaN | GaN | GaN | heteroestruturas | InGaN | Saw | Sputtering | Materiais semicondutores

Resumo

Este projeto tem como principal objetivo a produção filmes de GaN, AlGaN e InGaN e heteroestruturas multicamadas de AlGaN/GaN e InGaN/GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos/sensores a base de ondas acústicas de superfícies (SAW). Visa-se obter camadas com nanoestrutura ordenada, alto grau de cristalização e textura, além de superfícies e interfaces bem definidas e com baixa rugosidade. Através do monitoramento apropriado do processo de crescimento associado com as caracterizações das amostras obtidas e de resultados de simulações computacionais visa-se obter um entendimento profundo e um ótimo controle sobre o crescimento destes materiais, além de promover avanços no conhecimento e tecnologia de filmes finos e heteroestruturas a base de GaN crescidos pela técnica de sputtering reativo. Através de colaboração com grupo de pesquisa interno ao ITA, os filmes e heteroestruturas serão aplicados em dispositivos SAW e os resultados servirão de feedback para as rotinas de otimização das amostras. É importante frisar que a aplicação de GaN e suas ligas/heteroestruturas relacionadas crescidas por sputtering em dispositivos SAW é inédito e desperta grande interesse científico e tecnológico, fato que eleva exponencialmente o impacto deste trabalho. E, dado o interesse atual nessa classe de materiais e o poder tecnológico e industrial da técnica de sputtering, os seus resultados diretos e indiretos levarão a publicações em jornais indexados de alta circulação e a possíveis registros de patentes. Adicionalmente, o desenvolvimento deste projeto proporcionará a implantação da linha de pesquisa em GaN e materiais relacionados no ITA abrindo um novo leque de temas de pesquisas, dissertações de mestrado e teses de doutorado. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)

Publicações científicas (7)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
JUNIOR, ARMSTRONG GODOY; PEREIRA, ANDRE; GOMES, MARCILENE; FRAGA, MARIANA; PESSOA, RODRIGO; LEITE, DOUGLAS; PETRACONI, GILBERTO; NOGUEIRA, ADAILTON; WENDER, HEBERTON; MIYAKAWA, WALTER; et al. Black TiO2 Thin Films Production Using Hollow Cathode Hydrogen Plasma Treatment: Synthesis, Material Characteristics and Photocatalytic Activity. CATALYSTS, v. 10, n. 3, . (18/01265-1, 15/06241-5)
R. S. DE OLIVEIRA; H. A. FOLLI; C. STEGEMANN; I. M. HORTA; B. S. DAMASCENO; W. MIYAKAWA; A. L. J. PEREIRA; M. MASSI; A. S. DA SILVA SOBRINHO; D. M. G. LEITE. Structural, Morphological, Vibrational and Optical Properties of GaN Films Grown by Reactive Sputtering: The Effect of RF Power at Low Working Pressure Limit. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 25, . (11/50773-0, 15/06241-5)
GODOY-JUNIOR, ARMSTRONG; PEREIRA, ANDRE; DAMASCENO, BARBARA; HORTA, ISABELA; GOMES, MARCILENE; LEITE, DOUGLAS; MIYAKAWA, WALTER; BALDAN, MAURICIO; MASSI, MARCOS; PESSOA, RODRIGO; et al. Tailoring Black TiO2 Thin Films: Insights from Hollow Cathode Hydrogen Plasma Treatment Duration. PLASMA, v. 6, n. 2, p. 17-pg., . (15/06241-5)
HORTA, ISABELA MACHADO; DAMASCENO, BARBARA SOUZA; DE OLIVEIRA, REGIANE SANTANA; PEREIRA, ANDRE LUIS DE JESUS; MASSI, MARCOS; SOBRINHO, ARGEMIRO SOARES DA SILVA; LEITE, DOUGLAS MARCEL GONSALVES. AlGaN films grown by reactive magnetron sputtering on glass substrates with different Al content. SURFACES AND INTERFACES, v. 40, p. 7-pg., . (15/06241-5, 11/50773-0)
DE OLIVEIRA, R. S.; FOLLI, H. A.; HORTA, I. M.; DAMASCENO, B. S.; AUGSTROSE, J. H. C.; MIYAKAWA, W.; PEREIRA, A. L. J.; MASSI, M.; SOBRINHO, A. S. DA SILVA; LEITE, D. M. G.. Identification of Self-Buffer Layer on GaN/glass Films Grown by Reactive Sputtering. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 26, p. 6-pg., . (22/02994-2, 15/06241-5, 11/50773-0)
DAMASCENO, BARBARA S.; HORTA, ISABELA M.; DE OLIVEIRA, REGIANE S.; PEREIRA, RAISSA M.; SCHATKOSKI, VANESSA M.; BACHER, GERD; MASSI, MARCOS; THIM, GILMAR P.; DE J PEREIRA, ANDRE L.; DA SILVA SOBRINHO, ARGEMIRO S.; et al. Recent improvements on surface acoustic wave sensors based on graphenic nanomaterials. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, v. 167, p. 20-pg., . (15/06241-5, 21/05217-4, 20/12507-6)
NETO, NILTON FRANCELOSI A.; STEGEMANN, CRISTIANE; AFFONCO, LUCAS J.; LEITE, DOUGLAS M. G.; DA SILVA, JOSE H. D.. Role of oxygen flow rate on the structure and stoichiometry of cobalt oxide films deposited by reactive sputtering. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, v. 40, n. 1, . (15/06241-5, 17/18916-2)

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas utilizando este formulário.