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Produção de filmes e heteroestruturas à base de GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos SAW

Processo: 15/06241-5
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de março de 2017 - 31 de agosto de 2019
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Beneficiário:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Instituição-sede: Divisão de Ciências Fundamentais (IEF). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Pesq. associados:André Luis de Jesus Pereira ; Argemiro Soares da Silva Sobrinho ; Gilberto Petraconi ; Marcos Massi ; Walter Miyakawa
Assunto(s):Pulverização catódica  Semicondutores  Heteroestruturas 

Resumo

Este projeto tem como principal objetivo a produção filmes de GaN, AlGaN e InGaN e heteroestruturas multicamadas de AlGaN/GaN e InGaN/GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos/sensores a base de ondas acústicas de superfícies (SAW). Visa-se obter camadas com nanoestrutura ordenada, alto grau de cristalização e textura, além de superfícies e interfaces bem definidas e com baixa rugosidade. Através do monitoramento apropriado do processo de crescimento associado com as caracterizações das amostras obtidas e de resultados de simulações computacionais visa-se obter um entendimento profundo e um ótimo controle sobre o crescimento destes materiais, além de promover avanços no conhecimento e tecnologia de filmes finos e heteroestruturas a base de GaN crescidos pela técnica de sputtering reativo. Através de colaboração com grupo de pesquisa interno ao ITA, os filmes e heteroestruturas serão aplicados em dispositivos SAW e os resultados servirão de feedback para as rotinas de otimização das amostras. É importante frisar que a aplicação de GaN e suas ligas/heteroestruturas relacionadas crescidas por sputtering em dispositivos SAW é inédito e desperta grande interesse científico e tecnológico, fato que eleva exponencialmente o impacto deste trabalho. E, dado o interesse atual nessa classe de materiais e o poder tecnológico e industrial da técnica de sputtering, os seus resultados diretos e indiretos levarão a publicações em jornais indexados de alta circulação e a possíveis registros de patentes. Adicionalmente, o desenvolvimento deste projeto proporcionará a implantação da linha de pesquisa em GaN e materiais relacionados no ITA abrindo um novo leque de temas de pesquisas, dissertações de mestrado e teses de doutorado. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
JUNIOR, ARMSTRONG GODOY; PEREIRA, ANDRE; GOMES, MARCILENE; FRAGA, MARIANA; PESSOA, RODRIGO; LEITE, DOUGLAS; PETRACONI, GILBERTO; NOGUEIRA, ADAILTON; WENDER, HEBERTON; MIYAKAWA, WALTER; MASSI, MARCOS; SOBRINHO, ARGEMIRO DA SILVA. Black TiO2 Thin Films Production Using Hollow Cathode Hydrogen Plasma Treatment: Synthesis, Material Characteristics and Photocatalytic Activity. CATALYSTS, v. 10, n. 3 MAR 2020. Citações Web of Science: 0.

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