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Estudo e fabricacao de transistores de filme fino (tft's) com materiais depositados por pecvd visando aplicacoes em optoeletronica integrada.

Processo: 03/02837-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2003
Vigência (Término): 31 de agosto de 2007
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Ines Pereyra
Beneficiário:Katia Franklin Albertin Torres
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
Assunto(s):Dielétricos   Semicondutores   Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)

Resumo

O objetivo deste trabalho é estudar, fabricar e caracterizar transistores de filme fino com diferentes camadas dielétricas e semicondutoras obtidos por PECVD, a baixas temperaturas, visando aplicá-los em um dispositivo óptico integrado. A proposta é dar continuidade ao trabalho de mestrado, onde foi estudada as propriedades dielétricas e de interface de filmes de oxinitreto de silício com diferentes composições, visando sua aplicação em dispositivos MOS e de filme fino. Nossos resultados foram bastante interessantes para um filme obtido por PECVD e comparáveis com literatura. Com isso, pretendemos utilizar estes filmes em TFT's como dielétricos de porta, otimizando algumas propriedades do filme. Também será utilizado o carbeto de silício amorfo, material que já vem sendo estudado em trabalhos desenvolvidos no grupo, mas aqui estudaremos este filme em termos de propriedades dielétricas e de interface (isolante/semicondutor). Como camada ativa semicondutora será utilizada além do a-Si:H, o silício microcristalino e policristalino. O objetivo é aumentar a mobilidade de canal dos dispositivos, pois assim, há um aumento da aplicabilidade deste dispositivo, bastante utilizado em um variedade de sensores e em telas de cristal líquido. Assim, melhorando as propriedades de interface e utilizando os semicondutores citados, realizando uma combinação destes materiais, esperamos obter uma alta mobilidade de canal, além de obter bons parâmetros elétricos de forma aplicá-lo em um dispositivo integrado. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
K.F ALBERTIN; I PEREYRA. One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator. REVISTA MEXICANA DE FISICA, v. 52, p. 83-85, Fev. 2006.

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