A difracao multipla de raios-x na analise de camadas epitaxiais finas crescidas por epitaxia de feixe quimico.

• Processo: 00/00227-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2000
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lisandro Pavie Cardoso
• Beneficiário: Rogério Valentim Gelamo
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Crescimento epitaxial Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camadas Epitaxiais | Crescimento Epitaxial | Difracao Multipla De Raios-X | Semicondutores

Resumo

No presente projeto, pretende-se analisar camadas epitaxiais de pequena espessura crescidas por Epitaxia de Feixe Químico (CEE) utilizando a técnica de difração múltipla de raios-X. O objetivo é o estudo do efeito da espessura e das condições do substrato no crescimento dessas camadas, particularmente quanto à perfeição cristalográfica. Serão investidas reflexões secundárias chamadas Bragg-Superfície (BSD) e o mapeamento dessas reflexões (MBSD) para a obtenção de informações não disponíveis por outras técnicas, como por exemplo, a perfeição cristalina na superfície das camadas finas também há superfície do substrato, o que caracteriza a interface entre camada e substrato. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

GELAMO, Rogério Valentim. Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger. 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.