Busca avançada
Ano de início
Entree

Gap direto-indireto em pocos quanticos de camadas tensionadas de ingaas/inp.

Processo: 99/05833-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de agosto de 1999
Vigência (Término): 31 de julho de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Iikawa
Beneficiário:Heloisa Andrade de Paula Tudury
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Arsenieto de índio e gálio   Fotoluminescência   Poços quânticos

Resumo

A proposta do projeto é estudar estruturas de banda de poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP utilizando a técnica de espectroscopia ótica. O efeito de confinamento e de tensão biaxial ns camadas de InGaAs induzem uma forte mistura de bandas de buraco leve e pesado formando diferentes dispersões de energia. Estas dispersões e a influência do efeito de localização nas medidas óticas serão estudados. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
TUDURY, Heloisa Andrade de Paula. Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP. 2001. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Fisica Gleb Wataghin.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.