Gap direto-indireto em pocos quanticos de camadas tensionadas de ingaas/inp.

• Processo: 99/05833-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Heloisa Andrade de Paula Tudury
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Arsenieto de índio e gálio Fotoluminescência Poços quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletroreflectancia | Fotoluminescencia | Gap Indireto | Ingaas | Pocos Quanticos | Semicondutores

Resumo

A proposta do projeto é estudar estruturas de banda de poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP utilizando a técnica de espectroscopia ótica. O efeito de confinamento e de tensão biaxial ns camadas de InGaAs induzem uma forte mistura de bandas de buraco leve e pesado formando diferentes dispersões de energia. Estas dispersões e a influência do efeito de localização nas medidas óticas serão estudados. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

TUDURY, Heloisa Andrade de Paula. Gap direto-indireto em poços quânticos de camadas tensionadas de InGaAs/InP. 2001. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.