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Amplificadores ópticos de semicondutores com multi-contatos para controle da potência de saturação

Processo: 07/53366-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de março de 2008
Vigência (Término): 31 de julho de 2009
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Newton Cesario Frateschi
Beneficiário:Felipe Vallini
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas, SP, Brasil
Assunto(s):Amplificadores ópticos

Resumo

Este projeto trata do estudo das propriedades de saturação de amplificadores ópticos com base em estruturas de alto ganho de poços quânticos de compostos de InGaAsP/InP bombeados por corrente. Essencialmente, ele trata da fabricação dos amplificadores com multi-contatos buscando maior grau de liberdade para o controle de saturação do dispositivo. Nos dois extremos de condição de operação, não saturado e saturação profunda, temos a possibilidade de utilizar o dispositivo em aplicações lineares ou de chaveamento óptico, respectivamente. O trabalho se dividirá em três etapas que consistirão na simulação e projeto de amplificadores ópticos com multi-contatos, na fabricação dos dispositivos, na caracterização dos dispositivos, com ênfase nas propriedades de saturação. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
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