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Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs

Processo: 07/57989-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de março de 2008
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2010
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Iikawa
Beneficiário:Tiago Illipronti Girardi
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Pontos quânticos   Fotoluminescência   Propriedades ópticas   Arsenieto de gálio   Fosfeto de índio

Resumo

Neste projeto serão investigadas as propriedades ópticas de pontos quânticos auto-organizados de InP-GaAs, preparados por epitaxia por feixe químico. O interesse por esse material se deve à estrutura eletrônica, onde o elétron e o buraco ficam separados espacialmente devido ao alinhamento das bandas de energia nas interfaces ser do tipo II. O projeto é direcionado para investigar uma questão aberta sobre o sistema que é a observação do decaimento curto de emissão óptica de pontos quânticos de InP/GaAs, que é incompatível com o sistema tipo II. Serão utilizadas técnicas de medidas ópticas para a investigação de efeitos de interface em pontos quânticos de InP/GaAs, cujas amostras serão preparadas com diversas condições de interfaces controlando o tipo de liga que poderia formar nas interfaces evitando a formação de poços de potenciais nas interfaces. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
GIRARDI, Tiago Illipronti. Efeito de interface nas propriedades ópticas de pontos quânticos de InP/GaAs. 2012. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin.

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