Estudo das propriedades eletro-oticas de filmes finos de nitreto de indio nanoestruturado e de sua aplicacao em dispositivos fotonicos e otpo-eletronicos.

• Processo: 07/58732-6
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Vigência (Início): 01 de março de 2008
• Vigência (Término): 31 de agosto de 2011
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ronaldo Domingues Mansano
• Beneficiário: Marina Sparvoli de Medeiros
• Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Pulverização catódica Caracterização estrutural Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Deposição de filmes finos

Resumo

O nitreto de índio (InN) e seus derivados são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos opto eletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. O InN possui um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar de tal valor aparecer com mais freqüência na literatura, recentemente tem se obtido valores entre 0,7 e 0,9 eV. Estudos reportam que é possível obter tais valores ao se controlar a nanoestruturação do filme fino de nitreto de índio produzido e também a concentração do elemento índio neste mesmo filme. Os filmes de InN fazem parte dos materiais semicondutores de bandgap direto que são compostos por ligas binárias tipo GaN, AIN e ternárias como InGaN, AIGaN muito utilizados em fotodetectores e dispositivos fotonicos.Como os principais objetivos deste projeto são a deposição e caracterização de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e o desenvolvimento de um dispositivo na faixa do infravermelho, serão priorizados a obtenção de tais filmes finos com band gap entre 0,7 e 0,9 eV. O filme fino será depositado através de dois métodos: deposição por sputtering e deposição assistida por feixes de íons (IBAD), métodos que permitem o controle da estequiometria e a cristalização dos filmes produzidos. Dependendo das propriedades dos filmes finos produzidos por ambos os métodos, ocorrerá a escolha do melhor método e das melhores condições para produção do filme com o qual será fabricado o sensor infravermelho. O dispositivo final será composto pelo sensor e por um elemento óptico difrativo que tornará o sistema mais sensível. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MEDEIROS, Marina Sparvoli de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e opto eletrônicos.. 2011. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.