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Estudo das propriedades eletro-óticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e otpo-eletronicos

Processo: 07/58732-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2008
Vigência (Término): 31 de agosto de 2011
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Ronaldo Domingues Mansano
Beneficiário:Marina Sparvoli de Medeiros
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Pulverização catódica   Caracterização estrutural   Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Deposição de filmes finos

Resumo

O nitreto de índio (InN) e seus derivados são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos opto eletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. O InN possui um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar de tal valor aparecer com mais freqüência na literatura, recentemente tem se obtido valores entre 0,7 e 0,9 eV. Estudos reportam que é possível obter tais valores ao se controlar a nanoestruturação do filme fino de nitreto de índio produzido e também a concentração do elemento índio neste mesmo filme. Os filmes de InN fazem parte dos materiais semicondutores de bandgap direto que são compostos por ligas binárias tipo GaN, AIN e ternárias como InGaN, AIGaN muito utilizados em fotodetectores e dispositivos fotonicos.Como os principais objetivos deste projeto são a deposição e caracterização de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e o desenvolvimento de um dispositivo na faixa do infravermelho, serão priorizados a obtenção de tais filmes finos com band gap entre 0,7 e 0,9 eV. O filme fino será depositado através de dois métodos: deposição por sputtering e deposição assistida por feixes de íons (IBAD), métodos que permitem o controle da estequiometria e a cristalização dos filmes produzidos. Dependendo das propriedades dos filmes finos produzidos por ambos os métodos, ocorrerá a escolha do melhor método e das melhores condições para produção do filme com o qual será fabricado o sensor infravermelho. O dispositivo final será composto pelo sensor e por um elemento óptico difrativo que tornará o sistema mais sensível. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MEDEIROS, Marina Sparvoli de. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e opto eletrônicos.. 2011. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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