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Filmes finos ferroelétricos do tipo pbct, pbst e pcst: estudo experimental e teórico

Processo: 08/57150-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2009
Vigência (Término): 29 de fevereiro de 2012
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Elson Longo da Silva
Beneficiário:Debora da Silva Lima Pontes
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
Assunto(s):Semicondutores   Síntese química   Filmes finos   Transição de fase

Resumo

A grande demanda do mercado eletro-eletrônico e de telecomunicações deu origem a uma exaustiva busca de novos dispositivos, levando ao desenvolvimento de materiais avançados na forma de filmes finos nano estruturados como as fontes de potência compacta, leve e principalmente de baixo custo, estes têm grande potencial em aplicações como piezo elétricos, transdutores e principalmente nas atuais memórias para: computadores, smartcards e cartões de identificação do tipo "ID Tags" (DRAM e FeRAM). A utilização destes dispositivos na forma de filmes finos ferroelétricas nano estruturados é devido, por exemplo, à grande capacidade de armazenamento de carga, não volatilidade, a baixa dimensionalidade e a baixa voltagem de operação. Para a construção de memórias semicondutoras termelétricas do tipo "1T-1C" (Transistor-Capacitor) em circuitos integrados, um dos potenciais candidatos é a estrutura do tipo perovskite (ABO3). Desta forma, este projeto tem como objetivos: (a) a obtenção de soluções de citratos polimerizados com alto grau de estabilidade e substituição química no sitio A da perovskite do tipo PbTiO3 pelos cátions Ca, Sr e Ba; b) o estudo das propriedades elétricas em função da modulação entre os diferentes cátions (Pb, Ca, Sr e Ba), visando obter propriedades superiores ou compatíveis para uso em memórias semicondutoras ferroelétricas e sua subseqüente caracterização quanto às propriedades eletrônicas e micro-estruturais. Propõem-se metas claramente voltadas à obtenção de conhecimento para a implementação de dispositivos baseados em memórias semicondutoras ferroelétricas construídas a partir de novos materiais de alto desempenho, permitindo em médio e longo prazo a diversificação sustentada da produção de dispositivos eletrônicos e o desenvolvimento de processos e serviços de alta tecnologia. A necessária integração entre vários grupos de pesquisadores pela aquisição de equipamentos que serão utilizados em cooperação (multiusuário) está garantida nesta proposta, uma vez que permitirá um avanço de certas linhas de pesquisa em memórias semicondutoras em crescente desenvolvimento em nossos laboratórios Uma das conseqüências diretas será fomentar o desenvolvimento da pesquisa cooperativa e acelerar o processo de desenvolvimento de novos produtos e processos baseados nas novas tecnologias de memórias semicondutoras ferroelétricas do tipo FeRAWs e DRAM's (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PONTES, F. M.; PONTES, D. S. L.; CHIQUITO, A. J.; PEREIRA-DA-SILVA, MARCELO A.; LONGO, E. Effect of Fe-doping on the structural, microstructural, optical, and ferroeletric properties of Pb1/2Sr1/2Ti1-xFexO3 oxide prepared by spin coating technique. Materials Letters, v. 138, p. 179-183, JAN 1 2015. Citações Web of Science: 6.
PONTES, D. S. L.; CHIQUITO, A. J.; PONTES, F. M.; LONGO, E. Structural, dielectric, ferroelectric and optical properties of PBCT, PBST and PCST complex thin films on LaNiO3 metallic conductive oxide layer coated Si substrates by the CSD technique. Journal of Alloys and Compounds, v. 609, p. 33-39, OCT 5 2014. Citações Web of Science: 6.
PONTES, D. S. L.; PONTES, F. M.; CHIQUITO, A. J.; LONGO, E. Investigation of the structural, optical and dielectric properties of highly (100)-oriented (Pb0.60Ca0.20Sr0.20)TiO3 thin films on LaNiO3 bottom electrode. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, v. 185, p. 123-128, JUL 2014. Citações Web of Science: 2.
Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
PONTES, Debora da Silva Lima. Filmes finos ferroelétricos do tipo PBCT, PBST e PCST : estudo experimental e teórico. 2012. 140 f. Tese de Doutorado - Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências. Bauru.

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