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Sistemas micro eletro mecanicos (mems) baseados em a-sic:h e sioxny obtidos por pecvd em baixas temperaturas.

Processo: 05/55967-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2006
Vigência (Término): 30 de novembro de 2008
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Marcelo Nelson Páez Carreño
Beneficiário:Gustavo Pamplona Rehder
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Microestruturas   Sistemas microeletromecânicos

Resumo

O projeto objetiva dar continuidade ao desenvolvimento de sistemas micro-eletro-mecânicos (MEMS) fabricados utilizando materiais depositados por PECVD, particularmente carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) e oxinitreto de silício (SiOxNy). A viabilidade de desenvolver MEMS utilizando estes materiais já foi demonstrada no trabalho de mestrado do candidato e neste projeto as pesquisas estarão direcionadas a: (1) estudar e otimizar as propriedades termo-mecânicas dos filmes de a-SiC:H e SiOxNy, que ainda não foram estudadas e (2) aperfeiçoar as técnicas empregadas para obter movimento controlado nas microestruturas. Neste sentido, nosso objetivo não é o desenvolvimento de MEMS para uma aplicação especifica, mas estudar a implementação do movimento. Para isso, será utilizada tanto a atuação termo-mecânica, otimizando processos já desenvolvidos em trabalhos anteriores, como a atuação eletrostática, que ainda não foi estudada. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
REHDER, Gustavo Pamplona. Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS.. 2008. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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