Obtenção e análise do ruído de baixa frequência em transistores SOI MOSFET de canal gradual

• Processo: 09/12791-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Vigência (Início): 01 de março de 2010
• Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2011
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Marcelo Antonio Pavanello
• Beneficiário: Eduardo Luiz Ronchete da Silva
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Ruído
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Canal Gradual | Caracterização Elétrica | Ruido de Baixa Frequência | Simulação | Soi | Dispositivos Semicondutores

Resumo

A tecnologia SOI vêm demonstrando excelente potencial para ser empregada em aplicações analógicas, tais como amplificadores operacionais, com desempenho superior à tecnologia MOS convencional, devido à redução das capacitâncias de junção e da maior transcondutância. As comparações até então disponíveis na literatura relatam a operação destes amplificadores operacionais desde a temperatura ambiente até altas temperaturas, com significativas melhorias no ganho e na freqüência de transição unitária. O transistor SOI MOSFET com dopagem assimétrica na região de canal (GC SOI MOSFET) foi desenvolvido com o intuito de elevar a tensão de ruptura de dreno dos transistores SOI totalmente depletados. Os resultados obtidos foram promissores, indicando uma significativa melhora na condutância de dreno, na tensão Early e na corrente de saturação, além de uma sensível redução da ocorrência de efeitos bipolares parasitários, com elevação na tensão de ruptura. Estas características são extremamente interessantes para transistores MOS utilizados, principalmente, em circuitos analógicos para aplicações com baixa tensão de alimentação e baixo consumo de potência (as chamadas aplicações "low-power low-voltage").Neste trabalho será realizado um estudo comparativo do ruído de baixa freqüência ("low-frequency noise") de transistores SOI de canal uniformemente dopado e gradual operando em triodo e saturação, por meio de medidas experimentais e simulações bi e tridimensionais, além da utilização de modelos analíticos disponíveis na literatura para a explicação dos efeitos observados. (AU)