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Deposição de filmes finos de SnO2 dopados com terras-raras e investigação de eletrodos metálicos e transporte elétrico

Processo: 10/16825-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de janeiro de 2011
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2011
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Aloisio de Andrade Bartolomeu
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Condutividade elétrica   Óxidos semicondutores   Filmes finos   Processo sol-gel   Dióxido de estanho

Resumo

Este projeto visa a produção e caracterização elétrica de filmes finos de SnO2 não dopados e/ou dopados com os íons terras-raras trivalentes Er3+ ou Yb3+, com diferentes níveis de dopagens, depositados pelo processo sol-gel. Ênfase será dada aos mecanismos de condutividade elétrica no material semicondutor e a influência do eletrodo metálico, sendo depositados contatos de Sn, In ou Al e combinações desses metais, através da técnica de evaporação resistiva. As medidas a serem realizadas incluem: resistividade em função da temperatura, absorção ótica, difração de raios-X, corrente em função da voltagem para diferentes temperaturas, e decaimento da condutividade foto-excitada. O grupo de pesquisa tem obtido bom conhecimento no estudo da matriz dióxido de estanho com dopagem do tipo n (doadores), ou com íons terras-raras trivalentes (aceitadores) .