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Dopagem de matrizes semicondutoras com terras-raras Ce e Eu: investigação do transporte elétrico e eficiência na emissão

Processo: 06/05151-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2007
Vigência (Término): 31 de julho de 2009
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Tatiane de Fátima Pineiz
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Filmes finos   Dióxido de estanho   Processo sol-gel   Arsenieto de gálio   Terras raras

Resumo

Neste projeto de mestrado o trabalho de pesquisa envolve, numa primeira etapa, a produção e caracterização elétrica de filmes finos de SnO2 dopados com Eu e também com Ce, depositados pelo processo de molhamento via sol-gel. Numa segunda etapa será feita a deposição de filmes finos de GaAs, pela técnica de evaporação resistiva, sobre os filmes de dióxido de estanho, visando combinar a incorporação do terra-rara na matriz do semicondutor óxido com um semicondutor de alta mobilidade. Serão analisadas as condições de deposição e serão avaliadas as características elétricas dos filmes e eletrodos depositados, com diferentes dopagens dos íons terras-raras. As medidas a serem realizadas incluem: resistividade em função da temperatura, absorção ótica, difração de raios-X, corrente-voltagem em função da temperatura, capacitância e fotoluminescência. Nossos laboratórios contam com toda a infra-estrutura necessária para o desenvolvimento destas medidas. Serão realizadas também medidas de microscopia eletrônica de varredura, visando avaliar a qualidade da interface substrato/SnO2 e SnO2/GaAs, e estimar a espessura do filmes depositados, já que o canal de condução é um parâmetro fundamental na avaliação das propriedades de transporte. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, visando a confecção de dispositivos eletroluminescentes.

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
PINEIZ, Tatiane de Fátima. Matrizes semicondutoras GaAs e Sn'X IND. 2' dopado com terras-raras Ce ou Eu : investigação do transporte elétrico. 2009. 113 f. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual Paulista. POSMAT - Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais. Bauru.

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