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Deposição e caracterização de filmes finos de SnO2 e GaAs, e investigação da heterojunção SnO2/GaAs. dopagem com íons terras-raras

Processo: 10/20460-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de março de 2011
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2012
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Cristina de Freitas Bueno
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Condutividade elétrica   Heterojunção   Dióxido de estanho   Processo sol-gel   Arsenieto de gálio

Resumo

Produção e caracterização elétrica e óptica de dois tipos de filmes finos: a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs, depositado pela técnica de evaporação resistiva. Numa segunda etapa os filmes de GaAs serão depositados sobre os filmes de dióxido de estanho, visando combinar três aspectos fundamentais: 1) incorporação do terra-rara na matriz do semicondutor óxido, onde possuem alta eficiência de emissão, 2) combinação do semicondutor óxido com um semicondutor de alta mobilidade eletrônica, visando separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico, 3) investigação da interface entre os semicondutores. Serão analisadas as condições de deposição e as características elétricas dos filmes, principalmente no que concerne ao transporte elétrico da heterojunção, considerando que este tipo de interface pode aumentar a condutividade elétrica. Visando explorar ainda mais as propriedades da interface da heterojunção, serão realizados experimentos de excitação óptica dos filmes, com obtenção de sinal elétrico. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, visando contribuir para a futura confecção de dispositivos eletroluminescentes.