Condutividade Elétrica de Filmes Semicondutores de GaMnN e GaMnAs Depositados por Sputtering Reativo

• Processo: 11/08786-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2011
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2012
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Pedro Henrique Marques Arfeli
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Condutividade elétrica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Compostos III-V | condutividade elétrica | Contatos Elétricos | Impurezas em semicondutores | Mecanismos de transporte elétrico | semicondutores magneticos diluidos | Filmes semicondutores

Resumo

Neste trabalho serão estudadas as características da condutividade elétrica em filmes nanocristalinos de GaMnN e GaMnAs, com diferentes concentrações de Mn incorporado. Serão utilizados filmes depositados pela técnica de RF magnetron sputtering, depositados sob diferentes condições. A preparação e a caracterização dos contatos elétricos também farão parte do trabalho. A análise da condutividade elétrica no escuro, a caracterização dos contatos elétricos, e a predominância dos diferentes mecanismos de transporte, serão realizadas nos regimes de corrente contínua e alternada, e temperaturas de medição entre 100K e 500K. O trabalho compreenderá também adaptações instrumentais nos equipamentos de medição, e desenvolvimento dos programas utilizados no controle dos experimentos. As características elétricas obtidas serão analisadas com base nos modelos e teorias existentes e em dados recentes da literatura. Um dos aspectos importantes do trabalho é avaliar a interação dos portadores com impurezas magnéticas em semicondutores, tema relevante para o entendimento de dispositivos spintrônicos.