Busca avançada
Ano de início
Entree

Utilização da eletrodeposição em regime de subtensão na dopagem de filmes semicondutores eletrodepositados de selênio

Processo: 11/07022-4
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2011
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
Pesquisador responsável:Sergio Antonio Spinola Machado
Beneficiário:Dyovani Coelho
Instituição-sede: Instituto de Química de São Carlos (IQSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Eletroquímica   Selênio   Filmes finos   Dopagem eletrônica

Resumo

Neste projeto será estudado o efeito da dopagem de filmes de selênio com ad-átomos de Bi, Pb e Cu nas propriedades semicondutoras desses filmes. Os filmes de selênio serão obtidos por cronoamperometria em eletrólitos contendo SeO2 e diferentes ácidos. Estes filmes serão depositados em ouro policristalino (ou quartzo recoberto com ouro policristalino, quando utilizado a microbalança eletroquímica de cristal de quartzo). As condições de concentração, temperatura e tempo de deposição serão avaliadas a fim de se obter filmes com a maior homogeneidade e cristalinidade possíveis. Estes filmes serão caracterizados por voltametria cíclica (recobrimento e caracterização do perfil voltamétrico), microscopia de força atômica e microscopia eletrônica de varredura (morfologia), microbalança eletroquímica de cristal de quartzo (variações de massa), difração de raios-X (caráter amorfo ou cristalino e identificação de fases), espectroscopia de impedância eletroquímica (potencial de banda plana, tipo de semicondutor e densidade de doador ou receptor) e absorção no espectro ultravioleta-visível ou espectroscopia de refletância difusa (band gap). Em seguida, os ad-átomos de Bi, Pb e Cu serão depositados em regime de subtensão sobre o filme de selênio. A quantidade de ad-átomos e os efeitos sobre as propriedades do filme serão avaliados. Para isso, a voltametria cíclica será utilizada para investigar a faixa de potencial em que ocorre a deposição em regime de subtensão dos metais sobre o filme de selênio. Após a deposição, os filmes serão novamente caracterizados, de modo a determinar a influência dos ad-átomos em suas propriedades, usando as técnicas descritas acima.

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)

Publicações científicas (4)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
COELHO, DYOVANI; LUIZ, GIULIANO M.; MACHADO, SERGIO A. S.. A photoelectrochemical methodology to obtain nanorods of crystalline hexagonal trigonal selenium. JOURNAL OF ELECTROANALYTICAL CHEMISTRY, v. 820, p. 89-96, . (13/17053-0, 11/07022-4)
DYOVANI COELHO; GIULIANA M. LUIZ; SERGIO A. S. MACHADO. Estimating the Electrochemically Active Area: Revisiting a Basic Concept in Electrochemistry. Journal of the Brazilian Chemical Society, v. 32, n. 10, p. 1912-1917, . (13/17053-0, 11/07022-4)
Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
COELHO, Dyovani. Utilização da eletrodeposição em regime de subtensão na dopagem de filmes semicondutores eletrodepositados de selênio. 2015. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Química de São Carlos (IQSC/BT) São Carlos.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.