Propriedades de transporte eletrônico em filmes de diamante sintético crescidos por deposição química

• Processo: 11/17990-8
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Vigência (Início): 01 de janeiro de 2012
• Vigência (Término): 31 de dezembro de 2012
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Rosana Balena
• Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Transporte eletrônico Dispositivos Deposição química por vapor CVD Semicondutores

Resumo

Filmes de diamante sintético apresentam alto potencial para aplicações tecnológicas devido a algumas características como as altas condutividades térmica e elétrica, a alta voltagem de ruptura, alta mobilidade eletrônica e a grande resistência à radiação. Necessita-se para ambas as aplicações citadas o conhecimento do mecanismo de transporte de portadores em filmes de diamante dopados além de uma rota para a fabricação reprodutível dos dispositivos, tendo-se em vista o papel fundamental da superfície na obtenção de bons contatos elétricos. Assim, neste trabalho temos como interesse principal o estudo das propriedades dos contatos elétricos, retificadores e ôhmicos em filmes de diamante. Para tanto, conjuntos de amostras com diferentes dopagens (entre 1018 e 1020 cm-3) serão submetidos a processos de limpeza química e física sendo em seguida utilizados para a fabricação de dispositivos. Tais dispositivos serão analisados via experimentos de transporte nos quais a corrente, resistividade e capacitância serão monitoradas em função de parâmetros como a temperatura. Da análise dos dados experimentais, espera-se obter informações sobre as propriedades dos contatos (altura de barreira Schottky e tensão de ruptura, por exemplo) e sobre os filmes de diamante, como a densidade/distribuição de portadores e o processo de condução característico. (AU)