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Efeitos do acoplamento spin-órbita em sistemas semicondutores quase-bidimensionais

Processo: 11/22606-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de março de 2012
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2013
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Victor Lopez Richard
Beneficiário:Daniel Figueiredo Salviano
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Estrutura eletrônica

Resumo

O presente projeto propõe uma seqüência de tarefas relacionadas à investigação sistemática de propriedades eletrônicas de poços quânticos semicondutores que permitam introduzir o candidato ao estudo de fenômenos de spin nestas nano-estruturas. Esta contribuição forma parte de uma colaboração entre grupos experimentais, de crescimento e de espectroscopia, e colaboradores teóricos onde são tratados problemas relacionados à manipulação de estados de spin em sistemas quase-bi dimensionais. Tal projeto viria a contribuir com o respaldo à nucleação destas linhas de pesquisa multidisciplinares. Os empenhos teóricos e experimentais abrangem o estudo de poços quânticos semi-magnéticos (crescidos na base de GaMnAs) e não magnéticos (crescidos na base de GaAlAs), com novas propriedades estruturais com as quais é possível controlar separadamente efeitos da banda de condução e valência. Assim, em termos de motivação o trabalho contempla dois elementos: i) disponibilidade de resultados experimentais para fenômenos ópticos spin-dependentes nestas amostras; ii) A possibilidade de simulação teórica dos efeitos ópticos associados ao spin dos portadores nestes sistemas com estados confinados. A sequência de tarefas devem garantir a evolução do candidato a partir dos seus conhecimentos básicos de mecânica quãntica e programação numérica em direção à solução de problemas aplicados à física da materia condensada e em particular a descrição do comportamento de portadores em nano-estruturas semicondutoras sob campos eletromagnéticos externos. A elucidação de efeitos magnéticos detectados experimentalmente sob certas condições de crescimento das amostras pautará os empenhos teóricos aqui descritos.