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Síntese e caracterização de nanofios semicondutores de silício

Processo: 12/07041-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de julho de 2012
Vigência (Término): 30 de junho de 2013
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adenilson José Chiquito
Beneficiário:Leonardo Martins Amaral
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Transporte eletrônico   Silício

Resumo

Nesta proposta propomos a síntese e o estudo das propriedades estruturais de nanofios de silício semicondutor. Para tanto, o candidato deve ser familiarizado com algumas técnicas básicas de crescimento de nanoestruturas semicondutoras tais como o método VLS (Vapor-Líquido-Sólido) bem como os aparatos experimentais necessários à sua implementação. Além disso, o candidato deverá conhecer técnicas de caracterização estrutural bastante conhecidas e largamente empregadas como a difração de raios-x (DRX), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e também a microscopia eletrônica de transmissão (MET) e desenvolver estudos que visem a obtenção de informações sobre estrutura cristalina, morfologia, fase e composição das nanoestruturas sintetizadas. Tais estudos deverão viabilizar a obtenção de uma rota de síntese bem determinada e também, de nanoestruturas de alta qualidade cristalina. Numa segunda etapa, o candidato deverá também familiarizar-se com técnicas de fabricação de dispositivos eletrônicos baseados em nanoestruturas, em especial a técnica de fotolitografia.

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