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Modelos analíticos de comportamento elétrico estático para FinFETs

Processo: 12/12700-4
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2012
Vigência (Término): 31 de julho de 2016
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Renato Camargo Giacomini
Beneficiário:Arianne Soares Do Nascimento Pereira
Instituição-sede: Campus de São Bernardo do Campo. Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
Bolsa(s) vinculada(s):14/11627-7 - Estudo e análise de modelos compactos para UTBB SOI MOSFETs, BE.EP.DR
Assunto(s):Microeletrônica   Modelagem   Transistores FinFET   CMOS

Resumo

A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas arquiteturas para os dispositivos, como os transistores SOI de múltiplas portas (SOI MuGFETs), que possuem excelentes características elétricas. Entre os novos dispositivos, o FinFET tem se mostrado um excelente candidato às futuras aplicações industriais. Por sua complexidade construtiva e dimensões reduzidas, o FinFET não conta ainda com modelos analíticos consolidados e nem mesmo seu funcionamento é bem estabelecido em todas as condições de operação. O presente projeto de pesquisa tem como principal objetivo propor modelos analíticos de comportamento elétrico estático em dispositivos FinFET, tais como tensão de limiar, corrente de dreno, inclinação de sublimiar e resistência parasitária.Os modelos serão propostos com base no levantamento da evolução histórica dos modelos publicados até o estado atual do assunto. A investigação gerará subsídios para a proposição dos novos modelos analíticos, que deverão apresentar vantagens em relação aos já existentes, especialmente quanto à simplicidade e precisão.Pretende-se avaliar os resultados dos modelos comparando com simulações numéricas tridimensionais, dados experimentais publicados e eventualmente com medidas em dispositivos provenientes de parcerias que possam ser realizadas com outras instituições. Será feita uma análise crítica dos resultados alcançados, situando-os no contexto internacional da área.Como principais resultados esperam-se: a formação do doutor e a geração de conteúdo relevante para a comunidade.

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PEREIRA, A. S. N.; GIACOMINI, R. An accurate closed-expression model for FinFETs parasitic resistance. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 55, n. 3-4, p. 470-480, FEB-MAR 2015. Citações Web of Science: 3.

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