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Estudo teórico de defeitos magnéticos em CdSe: do cristal volumétrico aos pontos quânticos

Processo: 12/21264-3
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2013
Vigência (Término): 31 de outubro de 2013
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Victor Lopez Richard
Beneficiário:Daniel Ferreira Cesar
Supervisor no Exterior: Eduardo Ariel Menéndez Proupin
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Local de pesquisa : Universidad de Chile, Chile  
Vinculado à bolsa:11/17944-6 - Novos sistemas nano-ópticos e dispositivos nano-eletrônicos: caracterização e aplicação, BP.PD
Assunto(s):Semicondutores (físico-química)   Spintrônica   Estrutura eletrônica   Pontos quânticos

Resumo

O presente projeto propõe uma sequência de tarefas relacionadas à investigação sistemática das propriedades estruturais e eletrônicas de semicondutores volumétricos e nanoestruturado confeccionados a partir de materiais da família II-VI, com e sem a incorporação de manganês (Mn). Dentro destas tarefas são propostas três linhas principais de investigação, a saber: i) familiarização do candidato com o método de cálculo ab-initio, na base da teoria do funcional densidade (DFT), por meio do cálculo das propriedades eletrônicas e estruturais do CdSe volumétrico, tais como: função de onda, densidade de portadores, densidade de carga, propriedades elásticas e espectro de fônons. ii) Estudo das propriedades oriundas da incorporação de impurezas e geração de defeitos em CdSe, visando a compreensão do nanomagnetismo nesse tipo de material, combinando os resultados dos cálculos obtidos na base do DFT com os cálculos de estrutura eletrônica de pontos quânticos de CdSe pelo método K.P. iii) Estudo das propriedades de nanoestruturas semicondutoras com incorporação de íons de manganês (Mn), visando aplicações em spintrônica. (AU)