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Modelagem dè nanofios transistores MOS sem junções dè porta dupla e tripla

Processo: 12/24377-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de maio de 2013
Vigência (Término): 30 de abril de 2015
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Marcelo Antonio Pavanello
Beneficiário:Bruna Cardoso Paz
Instituição-sede: Campus de São Bernardo do Campo. Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Bolsa(s) vinculada(s):14/13816-1 - Modelagem, caracterização elétrica e extração de parâmetros elétricos de transistores MOS sem junções, BE.EP.MS
Assunto(s):Nanoeletrônica   Transistores MOSFET   Semicondutores

Resumo

A crescente miniaturização dos dispositivos eletrônicos tem dificultado a utilização de transistores MOS planares em tecnologias com dimensões nanométricas, devido à presença de efeitos de canal curto. Transistores MOS com múltiplas portas melhoram sensivelmente o controle das cargas na região de canal, reduzindo a ocorrência de tais efeitos. Portanto, estes dispositivos têm sido considerados bastante promissores para tecnologias futuras. Diversos transistores de múltiplas portas como os FinFETs de porta dupla ou tripla e os dispositivos de canal circundante têm ganhado bastante atenção da comunidade científica graças ao seu bom desempenho em aplicações digitais. Outra estrutura de múltiplas portas, desenvolvida recentemente, que tem apresentado resultados promissores é transistor MOS sem junção (junctionless), onde as regiões de fonte, dreno e canal são fabricadas com um mesmo tipo e concentração de dopantes, eliminando as junções PN.Neste projeto será realizada a modelagem analítica e a caracterização elétrica e de transistores MOS sem junção com dimensões nanométricas. Para a validação do modelo analítico desenvolvido, serão realizadas simulações tridimensionais de dispositivos. Para a validação do modelo a partir de resultados experimentais, serão utilizados transistores MOS sem junção fabricados no CEA-Leti, situado na cidade de Grenoble, França.

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PAZ, B. C.; CASSE, M.; BARRAUD, S.; REIMBOLD, G.; FAYNOT, O.; AVILA-HERRERA, F.; CERDEIRA, A.; PAVANELLO, M. A. Drain current model for short-channel triple gate junctionless nanowire transistors. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 63, p. 1-10, AUG 2016. Citações Web of Science: 4.

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