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Fabricação de dispositivos acústicos embutidos em microcavidades de ZnO/SiO2

Processo: 13/12311-0
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 20 de setembro de 2013
Vigência (Término): 19 de dezembro de 2013
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Odilon Divino Damasceno Couto Júnior
Beneficiário:Odilon Divino Damasceno Couto Júnior
Anfitrião: Paulo Ventura Santos
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Local de pesquisa : Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Alemanha  
Assunto(s):Espectroscopia   Spintrônica   Nanofotônica

Resumo

A geração de ondas acústicas de superfície (SAWs) em substratos piezoelétricos semicondutores, como GaAs, permite a aplicação dos campos de tensão e piezoelétrico da SAW para manipular excitações elementares (como portadores, spins e fótons) em nanoestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. A indução de transporte acústico e a modulação das propriedades óticas de semicondutores III-V usando os campos acústicos da SAW levou a resultados científicos de grande interesse em áreas como spintrônica e nanofotônica. Uma das limitações atuais de dispositivos acusto-óticos baseados em SAW está relacionada ao acoplamento fraco entre os campos acústicos e óticos. Neste projeto, investigaremos este problema ao projetar e fabricar micro-cavidades acusto-óticas que confinam tanto campos acústicos como óticos. Nós propomos fabricar micro-cavidades piezoelétricas baseadas em camadas de ZnO/SiO2 com transdutores interdigitais embutidos. Estes serão capazes de gerar ondas acústicas no centro da microcavidade, onde o campo ótico é concentrado. Ao confinar os modos acústicos e ótico na mesma região do espaço, nós esperamos aumentar consideravelmente os efeitos acusto-óticos, permitindo assim a investigação de uma série de novos sistemas. Em particular, tais micro-cavidades poderão ser fabricadas em estruturas de silício, abrindo assim o caminho para a integração de dispositivos acústicos de alta frequência com a tecnologia CMOS. (AU)