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Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos em altas temperaturas

Processo: 13/13690-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2013
Vigência (Término): 29 de outubro de 2016
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Katia Regina Akemi Sasaki
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
Bolsa(s) vinculada(s):14/13664-7 - Efeitos de corpo flutuante e de acoplamento em transistores FDSOI MOSFETs de camada de silício e óxido enterrado ultra-finos, BE.EP.DR
Assunto(s):Transistores   Microeletrônica   Alta temperatura

Resumo

Na tentativa de se superar os limites atuais para o escalamento dos dispositivos, a tecnologia UTBB SOI MOSFET (Ultra-Thin-Body-and-Buried-oxide Silicon-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) combinado à técnica da variação dinâmica da tensão de limiar surge como uma possível solução para diminuir os efeitos de canal curto e ainda melhorar o desempenho desses transistores. Isso se deve ao melhor acoplamento da tensão do substrato associado à vantagem de se obter uma maior corrente em estado ligado juntamente com uma menor corrente em estado desligado. Várias áreas como em aplicações aeroespaciais e militares ou mesmo na indústria automobilística e na exploração de energia, necessitam de um estudo de dispositivos que operam adequadamente em altas temperaturas. Dessa forma, este trabalho visa estudar a influência da temperatura nos dispositivos UTBB SOI MOSFET no modo convencional e com a técnica da variação dinâmica da tensão de limiar, tanto em dispositivos disponíveis na Universidade de São Paulo como em outros mais avançados que estarão disponíveis e poderão ser utilizados através de um estágio de pesquisa na Bélgica. Serão estudados os principais parâmetros elétricos digitais e analógicos, a partir de dados experimentais e simulações 2D estáticas e dinâmicas. Uma comparação entre o comportamento em temperatura ambiente e em altas temperaturas será realizada, bem como entre o modo convencional de tensão de substrato independente da tensão de porta e o modo de tensão de limiar dinâmica. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SASAKI, Katia Regina Akemi. Estudo de transistores SOI MOSFETs com camada de silício e óxido enterrado ultrafinos operando em modo de tensão de limiar dinâmica.. 2016. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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