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Estudo da influência da radiação ionizante proveniente de raios x em mosfet

Processo: 13/13770-9
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de outubro de 2013
Vigência (Término): 30 de setembro de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Áreas Clássicas de Fenomenologia e suas Aplicações
Pesquisador responsável:Marcilei Aparecida Guazzelli
Beneficiário:Felipe Gustavo Hernandes Leite
Instituição-sede: Campus de São Bernardo do Campo. Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Assunto(s):Radiação ionizante   Raios X   Efeitos da radiação   Semicondutores   Transistores MOSFET

Resumo

Dispositivos eletrônicos expostos à radiação ionizante podem sofrer danos que podem alterar as propriedades que caracterizam o dispositivo, modificando os parâmetros elétricos e, no caso de memórias ou processadores, podendo modificar as informações contidas nesses dispositivos. Diante deste problema, o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos resistentes à radiação e a sua qualificação quanto a serem mais tolerantes aos efeitos da radiação ionizante requerem pessoal qualificado, com o conhecimento específico dos mecanismos físicos atuantes nos dispositivos quando expostos à radiação. Para estudar o comportamento de dispositivos nessas condições, é necessário saber caracterizá-lo adequadamente, de acordo com os danos causados por uma determinada dose de radiação, e pelo tipo de radiação ionizante. Vale ressaltar que este tema é de extrema importância para que esta área estratégica de pesquisa seja autossuficiente em nosso país. Este projeto de pesquisa visa estudar efeitos da radiação ionizante proveniente de raios-X em dispositivos eletrônicos convencionais CD4007. Os dispositivos serão expostos a diferentes taxas de dose de radiação de raios X, modificando o tempo de exposição e a intensidade do feixe de raios X, com a finalidade de estudar como esses parâmetros influenciam nas características dos dispositivos. Desta forma, será possível correlacionar os mecanismos físicos responsáveis pelos efeitos da radiação nos dispositivos com as alterações nos parâmetros característicos, gerando capacitação de engenheiros elétricos nesta área estratégica para o Brasil.