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Estudo dos parâmetros tecnológicos dos transistores MOSFET de potência

Processo: 13/20332-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de novembro de 2013
Vigência (Término): 31 de outubro de 2014
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Eletrônica Industrial, Sistemas e Controles Eletrônicos
Pesquisador responsável:Milene Galeti
Beneficiário:Fernando Orue Dainese
Instituição-sede: Campus de São Bernardo do Campo. Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Assunto(s):Eletrônica de potência   Transistores MOSFET   Microeletrônica

Resumo

Os dispositivos semicondutores usados sistemas com elevada potência devem suportar altas correntes e tensões, assim como elevadas tensões reversas durante o seu chaveamento. Apesar dos grandes avanços nos processos de fabricação de dispositivos de potência ainda não obtivemos soluções satisfatórias que possibilitem a ampliação das aplicações destes dispositivos em termos de bloqueio de tensão e condução de corrente. Em aplicações como eletrônica de potência devemos considerar também a necessidade da operação destes dispositivos em frequências elevadas de chaveamento, como é o caso dos conversores CC-DC, desta forma estes dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas durante o chaveamento. A proposta deste trabalho é verificar através de simulações numéricas a influência de alguns parâmetros tecnológicos, como a concentração de dopantes, área das junções e parâmetros geométricos do dispositivo, no desempenho de transistores MOSFET de potência, contemplando tanto o comportamento estático como o dinâmico. Através das curvas da corrente de dreno em função da tensão aplicada à porta ou ao dreno serão extraídos alguns parâmetros, possibilitando assim a analise do comportamento estático deste dispositivo. Já o comportamento dinâmico será associado, também através de simulações numéricas, com o tempo de vida dos portadores e a influência deste parâmetro na frequência de chaveamento dos transistores MOSFET de potência. Finalmente, os resultados obtidos neste trabalho serão comparados com os resultados previamente reportados na literatura.