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Manejando propriedades óticas e dependentes de spin em nanoestruturas semicondutoras

Processo: 13/23393-8
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 10 de fevereiro de 2014
Vigência (Término): 09 de fevereiro de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Guilherme Matos Sipahi
Beneficiário:Paulo Eduardo de Faria Junior
Supervisor no Exterior: Igor Zutic
Instituição-sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Local de pesquisa : University at Buffalo (UB), Estados Unidos  
Vinculado à bolsa:12/05618-0 - Dinâmicas de spin e transporte de spin em dimensões reduzidas: do grafeno aos lasers de spin, BP.DR
Assunto(s):Spintrônica

Resumo

Neste projeto, propomos a continuidade de uma colaboração entre os grupos do Prof. Sipahi e Prof. Zutic para guiar a pesquisa do Sr. Faria Junior. Durante sua estadia de um ano em Buffalo, iremos investigar propriedades óticas e dependentes de spin em diferentes nanomateriais com confinamento quântico: poços quânticos semicondutores, nanofios freestanding e core-shell e pontos quânticos coloidais. O cálculo da estrutura eletrônica nos sistemas de interesse, compostos de Si, Ge e semicondutores III-V/II-VI, fornece pistas e direção importantes para muitas propriedades óticas e dependentes de spin, por exemplo, injeção ótica de spin e relaxação de spin. Este projeto possui duas características importantes: o entendimento de propriedades fundamentais de spin e luz em nanoestruturas e, com esse conhecimento, a investigação de novas classes de dispositivos de spin, estendendo assim as possibilidades das aplicações de spintrônica. Especificamente, essa proposta ajudará a avaliar criticamente a factibilidade de lasers de spin semicondutores, interconexões de spin e fenômenos de spin em pontos quânticos coloidais. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
BASTOS, CARLOS M. O.; SABINO, FERNANDO P.; FARIA JUNIOR, PAULO E.; CAMPOS, TIAGO; DA SILVA, JUAREZ L. F.; SIPAHI, GUILHERME M. Stability and accuracy control of k center dot p parameters. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 10 OCT 2016. Citações Web of Science: 4.
FARIA JUNIOR, PAULO E.; XU, GAOFENG; LEE, JEONGSU; GERHARDT, NILS C.; SIPAHI, GUILHERME M.; ZUTIC, IGOR. Toward high-frequency operation of spin lasers. Physical Review B, v. 92, n. 7 AUG 25 2015. Citações Web of Science: 26.
FARIA JUNIOR, P. E.; CAMPOS, T.; SIPAHI, G. M. Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 19 NOV 21 2014. Citações Web of Science: 7.

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