| Processo: | 13/22594-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Vigência (Início): | 01 de março de 2014 |
| Vigência (Término): | 30 de novembro de 2017 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação |
| Pesquisador responsável: | Paula Ghedini Der Agopian |
| Beneficiário: | Caio Cesar Mendes Bordallo |
| Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 15/09352-2 - Impacto dos materiais III-V em transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas, BE.EP.DR |
| Assunto(s): | Nanofios Transistores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Caracterização Elétrica | Nanofios | Temperatura | Transistores de tunelamento | Nanotecnologia |
Resumo Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação, que atualmente está alcançando escalas nanométricas, tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa a esta tecnologia, as indústrias tem substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Devido ao limite deste escalamento, novas alternativas têm sido estudadas para substituir a tecnologia MOS. Dentre estas alternativas pode-se citar o transistor de efeito de campo induzido por tunelamento (TFET), que é um dispositivo baseado em silício e compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível a redução bastante significativa da corrente de desligamento (IOFF) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec) à temperatura ambiente. Esse trabalho visa estudar esta nova estrutura denominada de transistor de efeito de campo por tunelamento (Tunneling Field Effect Transistor - TFET), de dimensões nanométricas, que tem sido uma das alternativas apontadas pela comunidade científica como promissora para a substituição de dispositivos MOS devido ao seu potencial de velocidade de chaveamento. Porém, como esta estrutura ainda é muito recente, ela precisa ser amplamente estudada. O desempenho deste novo dispositivo será estudado considerando-se diferentes estruturas de fabricação (FinFETs e Nanofios), diferentes materiais (Si, Si1-XGeX e Ge) e para diferentes temperaturas de operação. (AU) | |
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