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Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas

Processo: 13/22594-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2014
Vigência (Término): 30 de novembro de 2017
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Caio Cesar Mendes Bordallo
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Bolsa(s) vinculada(s):15/09352-2 - Impacto dos materiais III-V em transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas, BE.EP.DR
Assunto(s):Nanofios   Transistores

Resumo

Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação, que atualmente está alcançando escalas nanométricas, tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa a esta tecnologia, as indústrias tem substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Devido ao limite deste escalamento, novas alternativas têm sido estudadas para substituir a tecnologia MOS. Dentre estas alternativas pode-se citar o transistor de efeito de campo induzido por tunelamento (TFET), que é um dispositivo baseado em silício e compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível a redução bastante significativa da corrente de desligamento (IOFF) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec) à temperatura ambiente. Esse trabalho visa estudar esta nova estrutura denominada de transistor de efeito de campo por tunelamento (Tunneling Field Effect Transistor - TFET), de dimensões nanométricas, que tem sido uma das alternativas apontadas pela comunidade científica como promissora para a substituição de dispositivos MOS devido ao seu potencial de velocidade de chaveamento. Porém, como esta estrutura ainda é muito recente, ela precisa ser amplamente estudada. O desempenho deste novo dispositivo será estudado considerando-se diferentes estruturas de fabricação (FinFETs e Nanofios), diferentes materiais (Si, Si1-XGeX e Ge) e para diferentes temperaturas de operação. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
BORDALLO, Caio Cesar Mendes. Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.. 2017. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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