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Estudo e análise de modelos compactos para UTBB SOI MOSFETs

Processo: 14/11627-7
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2014
Vigência (Término): 31 de março de 2015
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Renato Camargo Giacomini
Beneficiário:Arianne Soares Do Nascimento Pereira
Supervisor no Exterior: Denis Flandre
Instituição-sede: Campus de São Bernardo do Campo. Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Local de pesquisa : Universitè Catolique de Louvain (UCL), Bélgica  
Vinculado à bolsa:12/12700-4 - Modelos analíticos de comportamento elétrico estático para FinFETs, BP.DR
Assunto(s):Microeletrônica

Resumo

A tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator - Silício Sobre Isolante) surgiu com o objetivo de responder à constante demanda pela redução das dimensões dos transistores de circuitos integrados, permitindo que estas sejam reduzidas além dos limites da tecnologia convencional. Os transistores SOI de camada e óxido enterrado ultrafinos (UTBB), assim como os FinFETs (múltiplas portas), são reconhecidos como uma alternativa para os nós tecnológicos iguais ou menores que 20 nm, devido ao seu melhor controle eletrostático. Além disso, os dispositivos UTBB permitem a construção de circuitos de baixo consumo de potência e alta velocidade no mesmo circuito integrado, graças às múltiplas tensões de limiar alcançadas através de diferentes polarizações de porta traseira.Os modelos compactos são ferramentas importantes para entender o comportamento dos dispositivos e para facilitar a predição de novas tecnologias. Modelos compactos precisos e computacionalmente eficientes para transistores ultra-escalados devem ser desenvolvidos e melhorados, com o objetivo de projetar com maior eficiência e simular circuitos de aplicações complexas. Para dispositivos UTBB, existem alguns modelos na literatura que levam em consideração a operação de portas independentes desses dispositivos. Até o momento, existem dois modelos compactos já implementados em simuladores de circuitos e que são indicados para utilização em dispositivos UTBB: o modelo BSIM-IMG, da Universidade de Berkeley e o modelo UTSOI2, do CEA-LETI e STMicroelectronics.Este projeto de pesquisa tem como objetivo avaliar a aplicação desses modelos compactos aos dispositivos UTBB. O comportamento dos modelos será estudado e comparado a dados experimentais e de simulação de dispositivos. Com isso, será possível propor melhorias para os modelos, tais como melhor descrição física, considerando efeitos específicos de dispositivos UTBB. Os resultados serão avaliados através de dados de simulações, dados experimentais provenientes da literatura e de dispositivos UTBB disponíveis na UCL, onde a pesquisa será desenvolvida.Uma revisão crítica dos resultados alcançados será feita, com o intuito de posicioná-los no contexto internacional da área de pesquisa e oportunamente publicá-los. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PEREIRA, A. S. N.; DE STEEL, G.; PLANES, N.; HAOND, M.; GIACOMINI, R.; FLANDRE, D.; KILCHYTSKA, V. An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models. Solid-State Electronics, v. 128, n. SI, p. 67-71, FEB 2017. Citações Web of Science: 2.

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