Estudo de transistores à base de ZnO e TIPs-Pentaceno para uso em inversores híbridos impressos

• Processo: 14/13904-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2015
• Data de Término da vigência: 04 de março de 2018
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Tiago Carneiro Gomes
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 16/03484-7 - Estudos de estabilidade em transistores obtidos por spray ultrassônico e pirólise de precursores orgânicos de ZnO., BE.EP.DR
• Assunto(s): Circuitos eletrônicos Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Hybrid Inverter | Printed Electronic | TIPs-Pentacene | Transistor | ZnO | Eletrônica Orgânica

Resumo

Este trabalho envolve a fabricação de transistores orgânicos e inorgânicos, para o desenvolvimento de circuitos flexíveis processados por solução. A produção de circuitos flexíveis, leves e eventualmente transparentes, tem sido um dos principais focos da eletrônica orgânica atual. Em particular, destaca-se a fabricação de circuitos inversores híbridos, visto que são dispositivos essenciais para eletrônica digital. Sendo assim, o objetivo deste projeto é a preparação e caracterização de transistores do tipo-n à base de óxidos semicondutores metálicos (em particular, óxido de zinco) e de transistores orgânicos do tipo-p de 6,13-Bis(triisopropil sililetinil) pentaceno (TIPs-pentaceno), para a produção de circuitos inversores complementares híbridos (CIC-Hi). O principal interesse em fabricar CIC-Hi deve-se a sua boa estabilidade e reprodutibilidade, arquitetura e funcionamento simples e, ainda, por ser um dos dispositivos mais promissores atualmente, segundo a literatura da área. Além disso, dispositivos deste tipo são compatíveis com processos de fabricação por solução, como impressão jato de tinta e técnicas por spray, os quais são métodos importantes para a produção de dispositivos flexíveis em larga escala. Neste trabalho, a camada ativa dos transistores do tipo n e p serão depositadas por técnicas desta natureza, utilizando ainda o óxido de alumínio anódico como camada dielétrica. Serão priorizados os estudos da estabilidade em função da exposição ao ambiente, do estresse de voltagem e do tratamento da superfície do dielétrico, visando aperfeiçoar a fabricação e operação destes dispositivos. Assim, com a realização deste projeto pretende-se contribuir para o desenvolvimento de circuitos orgânicos impressos, flexíveis e possivelmente transparentes. (AU)

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, n. 159, MAY 2020. (19/08019-9, 14/13904-8, 16/03484-7, 19/05620-3, 19/01671-2)

KUMAR, DINESH; GOMES, TIAGO CARNEIRO; ALVES, NERI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; SMITH, GRAHAM C.; KETTLE, JEFF. UV Phototransistors-Based Upon Spray Coated and Sputter Deposited ZnO TFTs. IEEE SENSORS JOURNAL, v. 20, n. 14, p. 7532-7539, JULY15, 2020. (19/05620-3, 14/13904-8, 16/03484-7)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, v. N/A, n. 159, p. 8-pg., 2020-05-01. (19/01671-2, 16/03484-7, 19/05620-3, 14/13904-8, 19/08019-9)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF. Optimization of the Anodization Processing for Aluminum Oxide Gate Dielectrics in ZnO Thin Film Transistors by Multivariate Analysis. ACS COMBINATORIAL SCIENCE, v. 21, n. 5, p. 370-379, MAY 2019. (14/13904-8, 16/03484-7)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

GOMES, Tiago Carneiro. Estudo de transistores a base de óxido de zinco visando aplicações em sensor de radiação ultravioleta. 2018. Tese de Doutorado - Universidade Estadual Paulista (Unesp). Faculdade de Ciências. Bauru Bauru.