Busca avançada
Ano de início
Entree

Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo

Processo: 15/05830-7
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 28 de maio de 2015
Vigência (Término): 07 de setembro de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gustavo Martini Dalpian
Beneficiário:Antonio Cláudio Michejevs Padilha
Supervisor no Exterior: Hannes Harald Raebiger
Instituição-sede: Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil
Local de pesquisa : Yokohama National University, Japão  
Vinculado à bolsa:11/21719-8 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo, BP.DR
Assunto(s):Teoria do funcional da densidade   Dióxido de titânio   Métodos ab initio   Transporte eletrônico   Dispositivos eletrônicos

Resumo

Memristores e Dispositivos Memristivos foram propostos há quase 40 anos atrás, mas apenas em 2008 foram devidamente caracterizados em laboratório. Tais dispositivos são fortes candidatos a proporcionar uma mudança de paradigma na fabricação de dispositivos eletrônicos para armazenamento volátil e não volátil de dados, através da confecção de sistemas mais densos, mais rápidos e mais duráveis que os atuais. Sua aplicação imediata no entanto ainda não é possível, pois não há entendimento su ciente de seu funcionamento a nível atomístico para que seu funcionamento possa ser devidamente parametrizado. Neste projeto temos como objetivo utilizar técnicas ab initio do estado da arte, como DFT e transporte no formalismo de funções deGreen fora do equilíbrio, para estudar os constituintes de um dispositivo separadamente e em conjunto, de modo a contribuir no entendimento da estrutura eletrônica, con figuração dos átomos e o transporte eletrônico destes sistemas em um nível fundamental. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
RAEBIGER, HANNES; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M.; ROCHA, ALEXANDRE REILY; DALPIAN, GUSTAVO M. Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 53, n. 29 JUL 15 2020. Citações Web of Science: 0.
PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, JUL 1 2016. Citações Web of Science: 19.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.