Transistores de contato por eletrólito baseado em filmes finos de WO3: influência da morfologia e estrutura dos filmes na performance dos dispositivos

• Processo: 14/27079-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2015
• Data de Término da vigência: 05 de março de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Acordo de Cooperação: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
• Pesquisador responsável: Marcelo Ornaghi Orlandi
• Beneficiário: Martin Schwellberger Barbosa
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID
• Bolsa(s) vinculada(s): 16/09033-7 - Transistores de contato de eletrólito baseado em filmes de WO3, BE.EP.DR
• Assunto(s): Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Transistores | Trióxido de Tungstênio | Transistores

Resumo

Dispositivos eletrônicos possuem um amplo mercado mundial e existe uma contínua busca por soluções com o objetivo de torná-los mais rápidos e eficientes. Dentre estes dispositivos, transistores respondem por aproximadamente 4% do mercado e deseja-se que novas tecnologias sejam propostas para a próxima geração de dispositivos. Nesse sentido, a pesquisa fundamental em transistores de contato por eletrólito chama a atenção pela sua versatilidade e resultados premilinares promissores. Assim, neste projeto pretende-se estudar o efeito da morfologia (tamanho e forma) de estruturas de WO3 na resposta elétrica de transistores de contato por eletrólito. O projeto será desenvolvido entre a Unesp (Laboratório Interdisciplinar de Eletroquímica de Cerâmica) e a Escola Politécnica de Montreal (Advanced Electroactive Materials group). (AU)

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

BARBOSA, M. S.; OLIVEIRA, F. M. B.; MENG, X.; SOAVI, F.; SANTATO, C.; ORLANDI, M. O.. Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, v. 6, n. 8, p. 1980-1987, FEB 28 2018. (13/07296-2, 14/27079-9, 15/50526-4, 16/09033-7)

DE OLIVEIRA SILVAL, GABRIEL VINICIUS; SUBRAMANIAN, ARUNPRABAHARAN; MENG, XIANG; ZHANG, SHIMING; BARBOSA, MARTIN S.; BALOUKAS, BILL; CHARTRAND, DANIEL; GONZALES, JUAN C.; ORLANDI, MARCELO ORNAGHI; SOAVI, FRANCESCA; et al. Tungsten oxide ion-gated phototransistors using ionic liquid and aqueous gating media. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 30, JUL 24 2019. (15/50526-4, 16/09033-7, 14/27079-9)

BARBOSA, MARTIN S.; BALKE, NINA; TSAI, WAN-YU; SANTATO, CLARA; ORLANDI, MARCELO O.. Structure of the Electrical Double Layer at the Interface between an Ionic Liquid and Tungsten Oxide in Ion-Gated Transistors. Journal of Physical Chemistry Letters, v. 11, n. 9, p. 3257-3262, MAY 7 2020. (15/50526-4, 16/09033-7, 14/27079-9)

BARBOSA, MARTIN S.; DA SILVA, RANILSON A.; SANTATO, CLARA; ORLANDI, MARCELO O.. Detection of H-2 facilitated by ionic liquid gating of tungsten oxide films. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, v. 40, n. 1, JAN 2022. (14/27079-9, 15/50526-4, 16/09033-7)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

BARBOSA, Martin Schwellberger. Estudo de desempenho e mecanismos de operação em transistors de interface eletrolítica baseados em óxido de tungstênio. 2019. Tese de Doutorado - Universidade Estadual Paulista (Unesp). Instituto de Química. Araraquara Araraquara.