Impacto dos materiais III-V em transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas

• Processo: 15/09352-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2015
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2016
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Caio Cesar Mendes Bordallo
• Supervisor: Cor Claeys
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: IMEC Belgium, Bélgica
• Vinculado à bolsa: 13/22594-0 - Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas, BP.DR
• Assunto(s): Nanotecnologia Nanofios Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Materiais III-V | Nanofios | Temperatura | Transistores de efeito de campo | tunelamento | Nanotecnologia

Resumo

Para continuar diminuindo os dispositivos, novas tecnologias têm sido estudadas como alternativas para o CMOS convencional. Um destes dispositivos que podem superar as limitações dos transistores MOSFET é o transistor de tunelamento induzido por campo elétrico (TFET) que pode ter uma corrente de estado desligado muito baixa e uma inclinação de sublimiar menor que 60 mV/dec em temperatura ambiente, o limite teórico para a tecnologia MOS.Para melhora a corrente de estado ligado, materiais III-V aparecem como substitutos promissores para o material de fonte dos TFETs porque sua baixa energia da faixa proibida pode aumentar o tunelamento de banda para banda gerando uma maior corrente de estado ligado e consequentemente melhorando as características do dispositivo.Este trabalho, supervisionado pelo Prof. Dr. Cor Claeys, tem o foco de estudar a influência dos materiais III-V na fonte de TFETs no desempenho elétrico de dispositivos avançado fabricados no imec/Bélgica.Neste trabalho os principais parâmetros elétricos serão estudados focando em análises de parâmetros analógicos e de ruído através de dados experimentais, para melhor entender a influência do uso de materiais III-V em dispositivos TFET avançados. (AU)