Busca avançada
Ano de início
Entree

Impacto dos materiais III-V em transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas

Processo: 15/09352-2
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2015
Vigência (Término): 30 de setembro de 2016
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Caio Cesar Mendes Bordallo
Supervisor no Exterior: Cor Claeys
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Local de pesquisa : IMEC Belgium, Bélgica  
Vinculado à bolsa:13/22594-0 - Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas, BP.DR
Assunto(s):Nanotecnologia   Nanofios   Transistores

Resumo

Para continuar diminuindo os dispositivos, novas tecnologias têm sido estudadas como alternativas para o CMOS convencional. Um destes dispositivos que podem superar as limitações dos transistores MOSFET é o transistor de tunelamento induzido por campo elétrico (TFET) que pode ter uma corrente de estado desligado muito baixa e uma inclinação de sublimiar menor que 60 mV/dec em temperatura ambiente, o limite teórico para a tecnologia MOS.Para melhora a corrente de estado ligado, materiais III-V aparecem como substitutos promissores para o material de fonte dos TFETs porque sua baixa energia da faixa proibida pode aumentar o tunelamento de banda para banda gerando uma maior corrente de estado ligado e consequentemente melhorando as características do dispositivo.Este trabalho, supervisionado pelo Prof. Dr. Cor Claeys, tem o foco de estudar a influência dos materiais III-V na fonte de TFETs no desempenho elétrico de dispositivos avançado fabricados no imec/Bélgica.Neste trabalho os principais parâmetros elétricos serão estudados focando em análises de parâmetros analógicos e de ruído através de dados experimentais, para melhor entender a influência do uso de materiais III-V em dispositivos TFET avançados. (AU)