Dispositivos ópticos não lineares baseados em guias de onda integradas com grafeno
Análise de guias ópticos por elementos finitos no domínio do tempo
Processo: | 15/04113-0 |
Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
Vigência (Início): | 01 de setembro de 2015 |
Vigência (Término): | 02 de maio de 2017 |
Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações |
Pesquisador responsável: | Hugo Luis Fragnito |
Beneficiário: | Ivan Aritz Aldaya Garde |
Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
Assunto(s): | Óptica não linear Mistura de quatro ondas |
Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Amplificação Paramétrica | Fotônica de Silício | Fwm | Interação fóton-fônon | Mistura de Quatro Ondas | Óptica Não Linear | Comunicações Ópticas, Fotônica |
Resumo A Fotônica de silício tem se mostrado uma área promissora para dispositivos de comunicações ópticas e aplicações de processamento óptico de sinais. Sua compatibilidade com processo de fabricação CMOS (Complimentary Metal Oxide Semiconductor) permite a implementação de guias de ondas micro-estruturadas de silício, potencialmente eficientes quanto a custos para futuros sistemas ópticos integrados. Um desafio associado à Fotônica de Silício é a inexistência de fontes de luz em Silício devido ao seu bandgap indireto. Entretanto, o silício apresenta uma susceptibilidade não linear de 3a ordem, Chi(3), duas ordens de magnitude maior do que a da sílica. Este alto valor de Chi(3) pode ser aproveitado no projeto de dispositivos ópticos compactos, tais como amplificador paramétrico ou conversor de comprimento de onda e fontes de supercontinuum. Neste projeto, nosso objetivo é desenhar, fabricar e caracterizar dispositivos ópticos baseados em silício para amplificação paramétrica e conversão de comprimento de onda, eficientes e com alta largura de banda.Pretendemos desenvolver um modelo detalhado da propagação não linear levando em consideração mecanismos de perda tais como absorção de dois fótons (e a subsequente absorção por portadores livres) e efeitos plasmônicos. Também pretendemos explorar estruturas que atinjam casamento de fase e ao mesmo tempo sejam robustas perante flutuações de fabricação. Esses dispositivos serão fabricados tanto na Unicamp quanto externamente. Os métodos experimentais para caracterização serão implementados em nosso laboratório. | |
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