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Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores be (back enhanced) SOI MOSFET

Processo: 15/25100-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de março de 2016
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2018
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Leonardo Shimizu Yojo
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Modelagem   Técnicas de caracterização elétrica

Resumo

A fim de se aprimorar o desempenho dos transistores e possibilitar circuitos integrados mais rápidos adotou-se a estratégia de diminuir as dimensões dos transistores, até o surgimento de efeitos parasitários que degradavam sua performance. Nesse contexto, a tecnologia SOI MOSFET tem se destacado como uma alternativa viável para a indústria de circuitos integrados como forma de contornar tais efeitos parasitários. Portanto é de grande interesse o estudo destas novas estruturas SOI MOSFET fabricadas no Brasil como forma de se obter um nível de independência tecnológica dos demais países cujas indústrias de eletrônicos estão mais desenvolvidas.Este projeto de pesquisa propõe o estudo das características elétricas, princípios físicos e dos parâmetros que descrevem um dispositivo construído utilizando a tecnologia SOI, com especial enfoque no transistor BE SOI MOSFET construído no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) que tem uma patente de fabricação submetida junto ao INPI sob o número BR 10 2015 020974 6 e que se destaca pela sua simplicidade de fabricação e flexibilidade. Atualmente este dispositivo encontra-se na sua segunda versão, no qual foi comprovada sua flexibilidade de operação, podendo ser utilizado tanto como transistor tipo p como tipo n (BE SOI pMOSFET e BE SOI nMOSFET). Por se tratar de um transistor novo, é necessário um estudo aprofundado de suas características elétricas e modelagem para ambos os tipos (p e n), que será feito de forma inédita neste trabalho.

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
YOJO, Leonardo Shimizu. Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.. 2018. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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