Estudos de estabilidade em transistores obtidos por spray ultrassônico e pirólise de precursores orgânicos de ZnO.

• Processo: 16/03484-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2016
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2017
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Tiago Carneiro Gomes
• Supervisor: Jeff Kettle
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Bangor University, País de Gales
• Vinculado à bolsa: 14/13904-8 - Estudo de transistores à base de ZnO e TIPs-Pentaceno para uso em inversores híbridos impressos, BP.DR
• Assunto(s): Filmes finos Estabilidade Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Lifetime | Spray Pyrolysis | stability | thin film | Transistor | zinc oxide | Printed Electronic

Resumo

Os investimentos na área de eletrônica impressa vêm aumentando a cada ano, mas o desenvolvimento de circuitos lógicos totalmente impressos depende da capacidade de se fabricar transistores com êxito. Neste contexto, para se alcançar tecnologias de eletrônica impressa comercializáveis, devem-se encontrar maneiras de aumentar a estabilidade a longo-prazo e tempo-de-vida dos transistores impressos. Atualmente esta é uma questão crítica na literatura. Assim, neste projeto nós propomos buscar caminhos para aumentar a estabilidade a longo-prazo e tempo-de-vida dos transistores à base de óxido de zinco (ZnO), produzidos por spray pirólise ultrassônico. O ZnO obtido solução pode ser facilmente dopado, e atualmente é um dos semicondutores mais promissores para aplicações em eletrônica transparente, devido à sua elevada transparência e alta mobilidade. A estabilidade e tempo de vida em transistores de ZnO serão avaliadas a partir de: adição de dopante; condições de deposição; tratamentos térmicos; características de superfície de substrato e assim por diante, as quais serão estudadas sob exposição ao ambiente e luz. Por fim, ressalta-se que estes estudos não somente serão importantes para melhorar a estabilidade a longo-prazo e tempo-de-vida dos transistores de ZnO, mas também para proporcionar conhecimento & tecnologia a fim de contribuir ao desenvolvimento da área eletrônica impressa.

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF. Optimization of the Anodization Processing for Aluminum Oxide Gate Dielectrics in ZnO Thin Film Transistors by Multivariate Analysis. ACS COMBINATORIAL SCIENCE, v. 21, n. 5, p. 370-379, MAY 2019. (14/13904-8, 16/03484-7)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, n. 159, MAY 2020. (19/08019-9, 14/13904-8, 16/03484-7, 19/05620-3, 19/01671-2)

KUMAR, DINESH; GOMES, TIAGO CARNEIRO; ALVES, NERI; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS; SMITH, GRAHAM C.; KETTLE, JEFF. UV Phototransistors-Based Upon Spray Coated and Sputter Deposited ZnO TFTs. IEEE SENSORS JOURNAL, v. 20, n. 14, p. 7532-7539, JULY15, 2020. (19/05620-3, 14/13904-8, 16/03484-7)

GOMES, TIAGO C.; KUMAR, DINESH; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; FUGIKAWA-SANTOS, LUCAS. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. JOVE-JOURNAL OF VISUALIZED EXPERIMENTS, v. N/A, n. 159, p. 8-pg., 2020-05-01. (19/01671-2, 16/03484-7, 19/05620-3, 14/13904-8, 19/08019-9)